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當(dāng)前位置:合肥重光電子科技有限公司>>產(chǎn)品展示
設(shè)備簡(jiǎn)介:桌上型旋轉(zhuǎn)涂布機(jī),,用于對(duì)均勻性要求較高的表面涂布工藝,將光刻膠溶液手動(dòng)涂覆在硅片、磷化銦,、碳化硅,、氮化鎵、鈮酸鋰等基片上形成薄膜,,主要應(yīng)用于12寸以內(nèi)...
MSD-150D主要應(yīng)用于曝光后的顯影工藝,。該設(shè)備主要由顯影腔單元、自動(dòng)擺臂單元,、 以及供液系統(tǒng),、主軸系統(tǒng)、控制系統(tǒng)及排液系統(tǒng)等組成,,整機(jī)采用框架結(jié)構(gòu),,外表為鏡...
產(chǎn)品特點(diǎn):熱均勻性:采用單片機(jī)和集成電路板設(shè)計(jì), 同時(shí)采用密集加熱 管澆灌一體成型,,均勻性更高,。體積:外觀小巧精致,以及超大按鍵更適宜手套箱內(nèi)操作使用耐腐蝕性:...
應(yīng)用:在高速旋轉(zhuǎn)的基片上,,滴注各類(lèi)膠液,,利用離心力使滴在基片上的膠液均勻地涂覆在基片上,厚度視不同膠液和基片間的粘滯系數(shù)而不同,,也和旋轉(zhuǎn)速度及時(shí)間有關(guān),。應(yīng)用:在...
HPR-12廣泛應(yīng)用于物理、材料冶金,、高分子聚合物,、生命科學(xué)等各個(gè)領(lǐng)域。在科研方面隨著近幾年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛,,針對(duì)旋轉(zhuǎn)涂膠后,、曝光后的烘烤、顯影后的堅(jiān)膜等工藝...
本設(shè)備利用反射干涉的原理進(jìn)行無(wú)損測(cè)量,,測(cè)量吸收或者透明襯底上薄膜的厚度以及折射率,,同時(shí)提供樣品反射率,測(cè)量精度達(dá)到埃級(jí)的分辨率,,測(cè)量迅速,,操作簡(jiǎn)單,界面友好,,測(cè)...
產(chǎn)品介紹所謂的等離子清洗機(jī),,就是用等離子體通過(guò)化學(xué)或物理作用時(shí)對(duì)工件表面 進(jìn)行處理,實(shí)現(xiàn)分子水平的污漬,、沾污去除,,并提高表面活性的工藝,。但是常 規(guī)等離子體清洗過(guò)...
HPP-8是針對(duì)半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)中晶圓烘烤而設(shè)計(jì)的一款產(chǎn)品.采用新穎的數(shù)字式加觸摸屏面板,精準(zhǔn)的控制熱板表面溫度,;堅(jiān)固耐腐蝕的鋁合金面板,,表面陽(yáng)極氧化處理,保障均...
桌上型旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)將溶液涂覆在硅片,、FTO,、ITO、石英,、陶瓷等基片上形成薄膜,,主要應(yīng)用于鈣鈦礦電池和光刻膠涂敷成膜等領(lǐng)域。主要應(yīng)用于4,、6寸樣品。該款可為客戶提...
UV-8 標(biāo)準(zhǔn)型UV 光清洗機(jī)是一款桌面型設(shè)備,,適用于中大型基片清洗如液晶面板,、 ITO 導(dǎo)電玻璃、晶圓,、OLED,、 LCD、硅片 ,,陶瓷,、金屬片、聚合物,、硅膠...
MSC-200T-D桌上型半自動(dòng)旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)用于對(duì)均勻性和一致性要求較高的表面涂布工藝,,將光刻膠溶液自動(dòng)涂覆在硅片、磷化銦,、碳化硅,、氮化鎵、鈮酸鋰,、光柵,、ITO、...
MAS4-BE光刻系統(tǒng)一體機(jī)主要由勻膠單元,、烤膠單元,、曝光單元、顯影單元等部分組成,,該設(shè)備針對(duì)高校研究所實(shí)驗(yàn)室,,特點(diǎn)是占地面積小,性價(jià)價(jià)比更高,。整機(jī)采用框架結(jié)構(gòu)...
產(chǎn)品概述:應(yīng)用于3D封裝,、LED,、微機(jī)電系統(tǒng)、化合物半導(dǎo)體,、功率器件等領(lǐng)域主要配置:自動(dòng)對(duì)準(zhǔn),、自動(dòng)曝光、LED光源,、機(jī)器視覺(jué)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng),、高精度硅片承載臺(tái)、自動(dòng)楔形...
實(shí)驗(yàn)室無(wú)掩膜曝光機(jī)CG-MLC6系列直寫(xiě)光刻機(jī)是一款精巧型光刻產(chǎn)品,。該設(shè)備采用數(shù)字光刻技術(shù),,無(wú)需掩模 版,能夠直接將版圖信息轉(zhuǎn)移到涂有光刻膠的襯底上,。CG-ML...
產(chǎn)品介紹:1設(shè)備名稱(chēng):全自動(dòng)干法去膠機(jī)2設(shè)備型號(hào):CGST31003設(shè)備原理:ICP4晶圓尺寸Wafer size: 8 inch(4或6 inch兼容)5晶圓...
該設(shè)備用于 8 寸晶圓的涂膠,、顯影、烘烤工藝,。設(shè)備包括主要的工藝模塊:一套涂膠模塊 COT,一套顯影模塊 DEV,、一套熱 盤(pán) HP 、(各腔體間有擋板隔開(kāi))
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