批量式電漿輔助氣相沉積設(shè)備 參考價(jià)：面議
批量式電漿輔助氣相沉積設(shè)備為一種使用化學(xué)氣相沉積技術(shù),，可為沉積反應(yīng)提供能量,。與傳統(tǒng)的CVD方法相比，可在較低的溫度下沉積各種薄膜且不會(huì)降低薄膜質(zhì)量,。
類鉆碳鍍膜設(shè)備 參考價(jià)：面議
類鉆碳鍍膜設(shè)備是一種無定形納米復(fù)合碳材料,，具有與天然金剛石相似的特性，包括?低摩擦,、高硬度和高耐腐蝕性,。正確的涂層可以減少滑動(dòng)磨損，而類鉆碳 (DLC)鍍膜機(jī)可...
FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積 參考價(jià)：面議
FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積：隨著LCD面板和制造所需玻璃的尺寸的增加,，其制造設(shè)備也變得更大,，需要越來越大的設(shè)備投資。SYSKEY針對(duì)中小尺寸的需求...
感應(yīng)耦合電漿化學(xué)氣相沉積設(shè)備 參考價(jià)：面議
感應(yīng)耦合電漿化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種使用ICP的化學(xué)氣相沉積技術(shù),，可為沉積反應(yīng)提供一些能量,。與PECVD方法相比，ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜而不...
低真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備 參考價(jià)：面議
低真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種化學(xué)氣相沉積技術(shù),，利用熱能在基板表面上引發(fā)前驅(qū)氣體的反應(yīng),。表面的反應(yīng)是形成固化材料的原因。
電漿輔助式化學(xué)氣相沉積設(shè)備 參考價(jià)：面議
電漿輔助式化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種使用電漿的化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù),，可為沉積反應(yīng)提供一些能量,。與傳統(tǒng)的CVD方法相比，PECVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜...
化學(xué)氣相沉積 參考價(jià)：面議
化學(xué)氣相沉積為一種薄膜沉積方法,，其中將基材暴露于一種或多種揮發(fā)性氣體中,，在基板表面上反應(yīng)或分解以生成所需的薄膜沉積物。這種方法通常用于在真空環(huán)境中制造高質(zhì)量與高...
剝離成形電子束設(shè)備 參考價(jià)：面議
剝離成形電子束設(shè)備：對(duì)于有些金屬,，我們很難使用蝕刻(Etching)方式來完成想要的電路圖案(Circuit Pattern)時(shí),，就可以采用 Lift-Off制...
超高真空電子束蒸鍍?cè)O(shè)備 參考價(jià)：面議
超高真空電子束蒸鍍?cè)O(shè)備的特征為其真空壓力低于10-8至10-12 Torr，在化學(xué)物理和工程領(lǐng)域十分常見,。超高真空環(huán)境對(duì)于科學(xué)研究非常重要,，因?yàn)閷?shí)驗(yàn)通常要求,，在...
電子束蒸鍍?cè)O(shè)備 參考價(jià)：面議
電子束蒸鍍?cè)O(shè)備是一種實(shí)用且高度可靠的系統(tǒng)。我們的系統(tǒng)可針對(duì)量產(chǎn)使用單一坩堝也可以有多個(gè)坩堝來達(dá)到產(chǎn)品多層膜結(jié)構(gòu),。在基板乘載上我們對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體研究和大型設(shè)備設(shè)計(jì),。單...
電子束蒸鍍 參考價(jià)：面議
電子束蒸鍍?yōu)橐环N物理氣相沉積（PVD）技術(shù)，其中電子束是由鎢絲所產(chǎn)生的,，並受到電場(chǎng)和磁場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)而朝向蒸發(fā)材料，並將其材料由固態(tài)轉(zhuǎn)化為氣態(tài)以沉積在基板表面上,。且該...
有機(jī)材料熱蒸鍍?cè)O(shè)備 參考價(jià)：面議
有機(jī)材料熱蒸鍍?cè)O(shè)備：該過程需要通過精確控制溫度和沉積速率來實(shí)現(xiàn)薄膜的高精度和均勻性,。
金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備 參考價(jià)：面議
金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備：熱蒸發(fā)是物理氣相沉積（PVD）中常用方法，也是PVD簡(jiǎn)單的形式之一,。使用電加熱的蒸發(fā)源可用於沉積大多數(shù)的有機(jī)和無機(jī)薄膜,，其中以電阻式加熱法最為常...
熱蒸鍍?cè)O(shè)備 參考價(jià)：面議
熱蒸鍍?cè)O(shè)備是用於沉積材料中簡(jiǎn)單的物理氣相沉積（PVD）。將材料（金屬或者有機(jī)材料等）置於真空環(huán)境中的電阻熱源中,，使其加熱並蒸發(fā),，以最直接的方式蒸發(fā)到基板上，然後...
FPD-PVD磁控濺鍍?cè)O(shè)備 參考價(jià)：面議
FPD-PVD磁控濺鍍?cè)O(shè)備針對(duì)中小尺寸的需求開發(fā)串集的PVD 設(shè)備,，擁有4個(gè)單獨(dú)的濺鍍腔體,，讓客戶能任意搭配沉積的材料，同時(shí)保有彈性和具有選擇性的系統(tǒng),。
連續(xù)式多腔磁控濺鍍?cè)O(shè)備 參考價(jià)：面議
連續(xù)式多腔磁控濺鍍?cè)O(shè)備：In-Line的濺鍍沉積是指基板在一個(gè)或多個(gè)濺鍍陰極下方以線性的方式通過以獲取其薄膜沉積,。其基板沿著軌道穿過各個(gè)真空腔內(nèi)。
多層膜磁控濺鍍?cè)O(shè)備 參考價(jià)：面議
多層膜磁控濺鍍?cè)O(shè)備廣泛用於各個(gè)領(lǐng)域,，而對(duì)於精密系統(tǒng)則需要更嚴(yán)格的規(guī)格,，包括光、聲音和電子元件,。在單一材料薄膜無法滿足所需規(guī)格的精密系統(tǒng)中,，高質(zhì)量多層膜的作用變得...
超高真空磁控濺鍍?cè)O(shè)備 參考價(jià)：面議
超高真空磁控濺鍍?cè)O(shè)備超高真空環(huán)境的特徵為其真空壓力低於10-8至10-12 Torr，且在化學(xué),、物理和工程領(lǐng)域十分常見,。
磁控共濺鍍?cè)O(shè)備 參考價(jià)：面議
磁控共濺鍍?cè)O(shè)備是指同時(shí)有兩個(gè)或多個(gè)磁控濺鍍槍，濺鍍於被鍍物上,。磁控共濺鍍主要用於-複合金屬或複合材料,，通過分別優(yōu)化每一支磁控濺鍍槍（靶材）的功率來控制薄膜品質(zhì)，...
磁控濺鍍 參考價(jià)：面議
磁控濺鍍沉積為一種物理氣相沉積（PVD）方法,，通過從靶材濺鍍出材料,，然後沉積至基板上來形成薄膜。在這種技術(shù)中,，大多使用氬氣或氮?dú)獾入x子轟擊靶材,，並將基板以適當(dāng)?shù)?..
具有分辨率的直接激光刻錄機(jī) 參考價(jià)：面議
具有分辨率的直接激光刻錄機(jī)PICOMASTER 是一系列直接激光刻錄機(jī),，可使用單個(gè)激光束創(chuàng)建高分辨率結(jié)構(gòu)。這款多功能,、低維護(hù)的激光刻錄機(jī)可為特征和光柵周期提供分...
激光光刻系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
激光光刻系統(tǒng)PICOMASTER 是一系列直接激光刻錄機(jī),，可使用單個(gè)激光束創(chuàng)建高分辨率結(jié)構(gòu)。這款多功能,、低維護(hù)的激光刻錄機(jī)可為特征和光柵周期提供分辨率,。用戶友好...
大面積 SEM 成像 參考價(jià)：面議
大面積 SEM 成像通過 CAD 形狀提取在大面積和 3D 中拼接 3D SEM 圖像馬賽克
聚焦離子束掃描電鏡系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
聚焦離子束掃描電鏡系統(tǒng)用于以 FIB 為中心的納米加工的 FIB-SEMVELION 是一種用于納米科學(xué)與工程的新型 FIB-SEM 儀器概念。FIB 納米加工...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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