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目錄:北京瑞科中儀科技有限公司>>電子束>> 剝離成形電子束設(shè)備

剝離成形電子束設(shè)備
  • 剝離成形電子束設(shè)備
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 品牌 其他品牌
  • 型號
  • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
  • 所在地 北京市
屬性

應(yīng)用領(lǐng)域:環(huán)保,化工,電子/電池

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更新時間:2024-07-10 13:31:53瀏覽次數(shù):692評價

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應(yīng)用領(lǐng)域 環(huán)保,化工,電子/電池
剝離成形電子束設(shè)備:對于有些金屬,,我們很難使用蝕刻(Etching)方式來完成想要的電路圖案(Circuit Pattern)時,,就可以采用 Lift-Off制程來做出想要的金屬圖案,。在此過程中,電子束蒸發(fā)于在基板表面上沉積所需的薄膜層于犧牲層于基材上,,最終在洗去其犧牲層,,以得到其電路圖案,。

image.png

剝離成形電子束設(shè)備介紹:

對於有些金屬,,我們很難使用蝕刻(Etching)方式來完成想要的電路圖案(Circuit Pattern)時,,就可以採用 Lift-Off製程來做出想要的金屬圖案,。在此過程中,,電子束蒸發(fā)於在基板表面上沉積所需的薄膜層於犧牲層與基材上,最終在洗去其犧牲層,,以得到其電路圖案,。由於SYSKEY的系統(tǒng)可以精準的控制蒸發(fā)速度,因此薄膜厚度和均勻度皆小於+/- 3%,。

? 針對Lift-Off製程設(shè)計載臺水冷或液態(tài)氮冷卻,。

image.png

1.準備基板。
2.犧牲薄膜層的沉積,。
3.對犧牲層進行圖案化(例如蝕刻),,以形成反向圖案。
4.沉積目標材料,。
5.洗去犧牲層以及目標材料的表面,。
6.最終圖案層:
①基材
②犧牲層
③目標材料

image.png

剝離成形電子束設(shè)備參數(shù):

應(yīng)用領(lǐng)域腔體
  • Lift-Off製程。


  • 客製化的腔體尺寸取決於基板尺寸

    和其應(yīng)用,。

  • 腔體最高可至650 mm,。

  • 腔體的極限真空度約為10-8 Torr。

配置和優(yōu)點選件
  • 客製化的基板尺寸,,最大直徑可達

    12寸晶圓,。

  • 優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3%。

  • 水冷坩堝的多組坩鍋旋轉(zhuǎn)電子束源(1/2/4/6坩堝),。

  • 自動鍍膜系統(tǒng),。

  • 具有順序操作或共沉積的多個電子束源。

  • 基板具有冷卻(液態(tài)氮溫度低至-70°C)功能,。

  • 可以與傳送腔,、機械手臂和手套

    箱整合在一起,。




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