超高真空磁控濺射外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
超高真空磁控濺射外延系統(tǒng)是一種先進(jìn)的薄膜制備設(shè)備,，結(jié)合了超高真空技術(shù)和磁控濺射技術(shù),，用于在襯底上外延生長高質(zhì)量的薄膜材料,。
專用電子束光刻系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
專用電子束光刻系統(tǒng)這些創(chuàng)新、智能配置的電子束光刻系統(tǒng)可以輕松有效地實(shí)現(xiàn)納米加工,。所有 Raith EBL 系統(tǒng)都配備了高精度激光干涉儀平臺(tái)和圖案發(fā)生器,，可為您的...
卡爾蔡司電子顯微鏡SEM 參考價(jià)：面議
卡爾蔡司電子顯微鏡SEM，將高級(jí)的分析性能與場發(fā)射掃描技術(shù)相結(jié)合,，利用成熟的 Gemini 電子光學(xué)元件。多種探測器可選：用于顆粒,、表面或者納米結(jié)構(gòu)成像,。Sig...
便攜式樣品傳送腔體 參考價(jià)：面議
便攜式樣品傳送腔體是一種專門設(shè)計(jì)用于在超高真空環(huán)境中傳送和處理樣品的設(shè)備。這種設(shè)備通常包括一個(gè)或多個(gè)關(guān)鍵組成部分,，如連接真空計(jì)的接口,、反射式光電陰極入射光導(dǎo)入口...
全金屬密封磁控濺射靶槍 參考價(jià)：面議
全金屬密封磁控濺射靶槍是一種用于磁控濺射技術(shù)的設(shè)備，主要由金屬制成的密封容器和靶材組成,。這種設(shè)備廣泛應(yīng)用于各種薄膜制備工藝中,，如光學(xué)薄膜、電子薄膜,、磁性薄膜等,。
定制樣品傳送腔體 參考價(jià)：面議
定制樣品傳送腔體，首先需要明確你的具體需求,，例如腔體的尺寸,、材質(zhì)、功能等,。然后,，你可以聯(lián)系專業(yè)的制造商或供應(yīng)商，向他們提供你的需求，讓他們?yōu)槟阍O(shè)計(jì)和制造符合要求...
4/6英寸輻射式樣品臺(tái)系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
4/6英寸輻射式樣品臺(tái)系統(tǒng)"可能指的是一種用于實(shí)驗(yàn)或研究的設(shè)備或組件,，特別是在材料科學(xué),、物理學(xué)、工程學(xué)或其他需要精確控制和分析樣品的環(huán)境中的設(shè)備,。
插拔式加熱器沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
插拔式加熱器沉積系統(tǒng)是一種方便,、實(shí)用的加熱設(shè)備，廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)和商業(yè)領(lǐng)域,。這種加熱器通常具有緊湊的設(shè)計(jì),，可以方便地插入到電源插座中，提供快速,、高效的加熱功能...
脈沖激光沉積樣品臺(tái) 參考價(jià)：面議
脈沖激光沉積樣品臺(tái)是一種物理氣相沉積技術(shù),，用于在襯底上生長高質(zhì)量的薄膜。脈沖激光沉積系統(tǒng)中的樣品臺(tái)是一個(gè)關(guān)鍵組件,，用于支撐和加熱待沉積的樣品,。
脈沖激光沉積靶臺(tái) 參考價(jià)：面議
脈沖激光沉積靶臺(tái)的設(shè)計(jì)和應(yīng)用對于脈沖激光沉積系統(tǒng)的性能和實(shí)驗(yàn)結(jié)果具有重要影響。通過綜合考慮穩(wěn)定性,、熱隔離,、靈活性、靶材均勻性,、冷卻機(jī)制以及靶材旋轉(zhuǎn)等因素,，可以設(shè)...
脈沖激光沉積系統(tǒng)激光光路 參考價(jià)：面議
脈沖激光沉積系統(tǒng)激光光路是一個(gè)高度復(fù)雜和精密的系統(tǒng)，需要各個(gè)部分的緊密配合和精確控制,，才能制備出高質(zhì)量的薄膜,。同時(shí)，隨著科技的發(fā)展,，脈沖激光沉積技術(shù)也在不斷地進(jìn)...
單腔體脈沖激光沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
單腔體脈沖激光沉積系統(tǒng)是一種先進(jìn)的材料制備技術(shù),，它利用脈沖激光的高能量密度來蒸發(fā)和電離靶材上的物質(zhì)，并在基底上沉積形成各種物質(zhì)薄膜,。這種系統(tǒng)通常包括一個(gè)沉積室,，...
雙腔體脈沖激光沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
雙腔體脈沖激光沉積系統(tǒng)（Dual Chamber Pulsed Laser Deposition System）是一種先進(jìn)的薄膜制備技術(shù)，它結(jié)合了脈沖激光沉積（...
激光 分子束外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
激光 分子束外延系統(tǒng)是一種用于物理學(xué),、材料科學(xué)領(lǐng)域的工藝試驗(yàn)儀器,，綜合了脈沖激光沉積和分子束外延的特點(diǎn)和優(yōu)勢。它能在高真空,、真空條件下實(shí)現(xiàn)原位實(shí)時(shí)監(jiān)控薄膜原子尺...
多功能原位高溫?zé)崤_(tái) 參考價(jià)：面議
多功能原位高溫?zé)崤_(tái)是一種實(shí)驗(yàn)設(shè)備,，主要用于在高溫環(huán)境下進(jìn)行各種實(shí)驗(yàn)。這種熱臺(tái)能夠提供精確的溫度控制,，并且具有多種功能,，例如可以用來研究物質(zhì)在高溫下的反應(yīng),、變化、...
退火爐 參考價(jià)：面議
退火爐是用于制造半導(dǎo)體元件的制程方法,。該制程包括加熱多個(gè)半導(dǎo)體晶片以影響其電性能,。熱處理旨在達(dá)到不同的效果?？梢约訜峋约せ顡诫s劑,，使沉積的膜至密化，并改變生...
串集多腔鍍膜設(shè)備 參考價(jià)：面議
串集多腔鍍膜設(shè)備是一組真空腔系統(tǒng),，這些真空腔系統(tǒng)通過位于系統(tǒng)中心的傳輸腔相互連接,。從基材的清潔、鍍膜與封裝的所有過程都在不破壞真空的環(huán)境下連續(xù)進(jìn)行,。
原子層蝕刻設(shè)備 參考價(jià)：面議
原子層蝕刻設(shè)備是一種先進(jìn)的蝕刻技術(shù),，可精準(zhǔn)的控制其蝕刻深度。隨著元件尺寸的進(jìn)一步減小,，需要進(jìn)一步的使用ALE才能達(dá)到其所需的精度,。
感應(yīng)耦合電漿蝕刻 參考價(jià)：面議
感應(yīng)耦合電漿蝕刻是在標(biāo)準(zhǔn)反應(yīng)離子蝕刻（RIE）的基礎(chǔ)上，添加電感耦合電漿的,。感應(yīng)耦合電漿由磁場圍繞石英晶體管所提供,。產(chǎn)生的高密度電漿被線圈包圍，將充當(dāng)變壓器中的...
反應(yīng)離子蝕刻設(shè)備 參考價(jià)：面議
反應(yīng)離子蝕刻設(shè)備中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓,、蝕刻速率和均勻性,，并具有重復(fù)性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的,。
等離子干蝕刻 參考價(jià)：面議
等離子干蝕刻是從另一種材料的表面去除材料的過程,。該過程是由於于激發(fā)離子與材料的碰撞而發(fā)生的，無需使用任何液體化學(xué)藥品或蝕刻劑即可將其除去,。
電漿原子層沉積設(shè)備 參考價(jià)：面議
電漿原子層沉積設(shè)備是一種基于常規(guī)ALD的先進(jìn)方法,，其利用電漿作為裂化前驅(qū)物材料的條件,，而不是僅依靠來自加熱基板的熱能,。
原子層沉積設(shè)備 參考價(jià)：面議
原子層沉積設(shè)備為一種氣相化學(xué)沉積技術(shù)。大多數(shù)的ALD反應(yīng),，將使用兩種化學(xué)物質(zhì)稱為前驅(qū)物,。這些前驅(qū)物以連續(xù)且自限的方式與材料表面進(jìn)行反應(yīng)。
原子層沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
原子層沉積系統(tǒng)是基于順序使用氣相化學(xué)過程的最重要技術(shù)之一,；它可以被視為一種特殊類型的化學(xué)氣相沉積（CVD）,。多數(shù)ALD反應(yīng)使用兩種或更多種化學(xué)物質(zhì)（稱為前驅(qū)物，...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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