日韩av大片在线观看欧美成人不卡|午夜先锋看片|中国女人18毛片水多|免费xx高潮喷水|国产大片美女av|丰满老熟妇好大bbbbbbbbbbb|人妻上司四区|japanese人妻少妇乱中文|少妇做爰喷水高潮受不了|美女人妻被颜射的视频,亚洲国产精品久久艾草一,俄罗斯6一一11萝裸体自慰,午夜三级理论在线观看无码

低真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備（LPCVD）是一種化學(xué)氣相沉積技術(shù),，利用熱能在基板表面上引發(fā)前驅(qū)氣體的反應(yīng)。表面的反應(yīng)是形成固化材料的原因,。低真空用於減少氣相反應(yīng),，還可以提高整個(gè)基板的均勻性。除此之外,，該過程取決於溫度控制,，過程溫度越高，維持性越好,。與大氣壓下的傳統(tǒng)CVD製程相比,，LPCVD的優(yōu)勢在於：每批製程可裝載更多的晶圓（每批100-200個(gè)晶圓）、晶圓內(nèi)的厚度均勻性得到了改善（<±3％）,，並且降低生產(chǎn)成本,。SYSKEY的系統(tǒng)可以精準(zhǔn)的控制製程氣體與監(jiān)控其數(shù)據(jù)(壓力、載臺(tái)溫度),，並提供高品質(zhì)的薄膜,。

低真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備參數(shù)