晶圓硅片清洗設(shè)備是半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵設(shè)備,，以下是對(duì)其的詳細(xì)描述：

主要類型

單片式清洗機(jī)：由幾個(gè)清洗腔體組成,，通過機(jī)械手將每一片晶圓送至各個(gè)腔體中進(jìn)行單獨(dú)的噴淋式清洗。這種設(shè)備的清洗效果較好,，能夠有效避免交叉污染和前批次污染后批次的問題,，但缺點(diǎn)是清洗效率相對(duì)較低，成本偏高,。中國(guó)生產(chǎn)廠家主要以上海盛美,、中國(guó)臺(tái)灣弘塑等公司為代表。

槽式清洗機(jī)：將晶圓放在花籃中,，利用機(jī)械手依次將其通過不同的化學(xué)試劑槽進(jìn)行清洗,，槽內(nèi)裝有酸堿等化學(xué)液，一次可以同時(shí)清洗一個(gè)花籃（25 片）或兩個(gè)花籃（50 片晶圓）,。此類清洗機(jī)清洗效率較高,、成本較低，但清洗的晶圓之間會(huì)存在交叉污染和前批次污染后批次的情況,。主要由耐腐蝕機(jī)架,、酸槽、水槽,、干燥槽,、控制單元、排風(fēng)單元以及氣體和液體管路單元等幾大部分構(gòu)成,。國(guó)內(nèi)生產(chǎn)廠家較多,，以北方華創(chuàng)、華林科納等公司為代表,。

工作原理

預(yù)清洗：通常采用去離子水沖洗和超聲波清洗相結(jié)合的方式,，去除晶圓表面的松散污染物和大顆粒。去離子水能夠初步去除晶圓表面的顆粒和溶解的雜質(zhì),，而超聲波清洗則利用空化效應(yīng)破壞顆粒與晶圓表面的結(jié)合力,，使顆粒易于脫落。

化學(xué)清洗：這是晶圓清洗工藝的核心步驟之一,，利用各種化學(xué)溶液去除晶圓表面的有機(jī)物、金屬離子和氧化物等污染物,。例如,，使用丙酮或氨水/過氧化氫混合液（SC-1）去除有機(jī)污染物；使用硝酸或鹽酸/過氧化氫混合液（SC-2）去除金屬離子；使用氫氟酸溶液去除自然氧化層等,。

終清洗：在化學(xué)清洗后,，需要使用去離子水進(jìn)行沖洗，以確保表面沒有殘留的化學(xué)物質(zhì),。此外,，還可采用臭氧水清洗（O?/H?O）進(jìn)一步去除晶圓表面的殘留污染物。

干燥：清洗后的晶圓必須迅速干燥,，以防止水痕或污染物的重新附著,。常用的干燥方法包括旋轉(zhuǎn)甩干和氮?dú)獯祾撸罢咄ㄟ^高速旋轉(zhuǎn)將晶圓表面的水分甩除,，后者通過干燥氮?dú)獾拇捣鱽泶_保表面的干燥,。

技術(shù)特點(diǎn)

清洗技術(shù)和工藝：采用超聲波清洗、噴淋清洗,、單片式浸泡等多種清洗方式,，確保清洗效果。同時(shí),，配備全自動(dòng)補(bǔ)液技術(shù),、防酸防腐措施、干燥前處理技術(shù)等,，保護(hù)晶圓表面特性,，提高清洗效率和質(zhì)量。

高精度和高穩(wěn)定性：能夠精確控制清洗過程中的各種參數(shù),，如溫度,、時(shí)間、化學(xué)溶液濃度等,，保證清洗的一致性和穩(wěn)定性,，從而確保晶圓的質(zhì)量。

環(huán)保性能良好：一些的晶圓清洗設(shè)備配備了高純化學(xué)品/研磨液供應(yīng)回收系統(tǒng)及工程解決方案,，能夠有效地回收和再利用化學(xué)品,，減少對(duì)環(huán)境的影響。

應(yīng)用范圍：

廣泛應(yīng)用于硅片晶圓的生產(chǎn)清洗工藝中,，包括爐前清洗,、光刻后清洗、氧化前清洗,、拋光后清洗等多個(gè)環(huán)節(jié),，是半導(dǎo)體制造過程無法缺少的設(shè)備之一。