去膠能力

定義：單位時(shí)間內(nèi)去除光刻膠的厚度或面積（如μm/min或cm2/min）,。

影響因素：化學(xué)藥劑濃度,、溫度、噴淋壓力,、處理時(shí)間,。

典型值：正膠（AZ系列）去膠速度約0.1~0.5μm/min，負(fù)膠（SU-8）可能更低,。

潔凈度

定義：殘留光刻膠量或顆粒物尺寸（如AFM,、橢偏儀檢測）。

標(biāo)準(zhǔn)：通常要求殘留＜1 nm（原子級潔凈）或顆粒＜0.1 μm（SEM觀測）,。

關(guān)鍵參數(shù)：清洗液純度,、超聲波功率、機(jī)械攪拌強(qiáng)度,。

均勻性

定義：硅片表面去膠速率的一致性（如±5%以內(nèi)）,。

控制方法：噴淋系統(tǒng)對稱性設(shè)計(jì)、流體動(dòng)力學(xué)仿真優(yōu)化,、旋轉(zhuǎn)托盤速度,。

處理容量

定義：單次可處理的硅片數(shù)量（如25片/批）或基片尺寸（如兼容4/6/8英寸晶圓）,。

擴(kuò)展性：設(shè)備是否支持多尺寸混批處理（如4寸與6寸混合）,。

二、設(shè)備運(yùn)行參數(shù)

溫度控制

范圍：常溫~100℃（高溫加速反應(yīng),，但需避免基底損傷）,。

精度：±1℃（確保化學(xué)反應(yīng)速率穩(wěn)定）,。

化學(xué)藥劑管理

濃度控制：自動(dòng)配比（如TMAH濃度5%~10%）,，實(shí)時(shí)監(jiān)測并補(bǔ)充。

流量與壓力：噴淋流量誤差＜±5%,，壓力可調(diào)（0.1~1 bar）,。

處理時(shí)間

范圍：幾分鐘~半小時(shí),，可編程設(shè)置多段工藝步驟（預(yù)洗→主洗→漂洗）。

超聲波頻率

典型值：40kHz~1MHz,，高頻用于精細(xì)結(jié)構(gòu)去膠,，低頻針對厚膠層。

三,、設(shè)備安全性與環(huán)保指標(biāo)

化學(xué)兼容性

材質(zhì)要求：清洗槽（PFA,、PTFE、不銹鋼）,、密封件（耐腐蝕FKM橡膠）,。

抗腐蝕性：可耐受強(qiáng)堿（如TMAH）、有機(jī)溶劑（如NMP,、PGME）,。

廢氣處理

排放標(biāo)準(zhǔn)：VOCs去除率＞95%，配備活性炭過濾或催化燃燒裝置,。

監(jiān)控參數(shù)：排氣風(fēng)量（如500~2000 m3/h）,、負(fù)壓控制（防止泄漏）。

廢液處理

分離技術(shù)：酸堿中和,、超濾回收溶劑,、重金屬沉淀（如含鉛焊點(diǎn)清洗）。

排放指標(biāo)：COD＜100 mg/L,，pH中性,，符合ROHS/REACH法規(guī)。

四,、自動(dòng)化與智能化指標(biāo)

人機(jī)界面（HMI）

觸摸屏編程,，支持工藝參數(shù)存儲(chǔ)與調(diào)用（如Recipe管理≥100組）。

在線監(jiān)測功能

實(shí)時(shí)檢測參數(shù)：pH值,、電導(dǎo)率,、濁度、溫度,、液位,。

異常報(bào)警：藥劑不足、過濾器堵塞,、噴淋臂堵塞,。

數(shù)據(jù)追溯

記錄每批次工藝參數(shù)（時(shí)間、溫度,、濃度）,、硅片編號(hào)（二維碼/RFID）。

遠(yuǎn)程控制

支持MES系統(tǒng)對接,，實(shí)現(xiàn)工藝參數(shù)遠(yuǎn)程監(jiān)控與故障診斷,。

五,、維護(hù)與可靠性指標(biāo)

設(shè)備稼動(dòng)率

目標(biāo)值：＞95%（運(yùn)行時(shí)間占比）。

易損件壽命

噴淋頭更換周期：≥500小時(shí),；超聲波換能器壽命：≥2000小時(shí),。

清潔便利性

模塊化設(shè)計(jì)（如可拆卸噴嘴、快速排空閥）,，支持CIP（原位清洗）,。