濕法去膠液的比例需根據(jù)光刻膠類型,、基底材料、工藝要求和設(shè)備性能等因素綜合調(diào)整,。以下是關(guān)鍵參數(shù)及建議范圍：

一、核心影響因素

光刻膠類型

正性光刻膠（如AZ系列）：常用TMAH（四甲基氫氧化銨）或堿性水溶液,，濃度較低（5%~10%）,。

負性光刻膠（如SU-8）：需更高濃度堿性溶液或特定溶劑（如PGME、NMP）,，濃度可能達10%~20%。

特殊膠體（如耐高溫膠）：可能需要混合酸/堿或添加增效劑,。

基底材料

硅片/玻璃：耐受強堿，可提高濃度（如TMAH 10%~15%）以加速去膠,。

金屬基底（如Al,、Cu）：需降低濃度（如TMAH 5%~8%）,，避免腐蝕。

鍍膜層（如SiO?,、SiN?）：需控制pH值（如pH 9~11）防止薄膜損傷,。

工藝目標(biāo)

高潔凈度：適當(dāng)提高濃度或延長處理時間（如10% TMAH + 20分鐘）,。

快速去膠：增加濃度（如15% TMAH）或溫度（40℃~60℃），但需平衡基底安全性,。

二,、典型去膠液配比方案

三,、調(diào)整比例的實驗方法

初步測試

按光刻膠廠商推薦比例（如TMAH 10%）進行小批量試驗,，觀察去膠速度和殘留情況,。

使用橢偏儀或AFM檢測殘留厚度，確保＜1 nm（原子級潔凈）,。

優(yōu)化濃度

濃度過高：去膠快但易腐蝕基底或?qū)е卤砻娲植诙仍黾印?/p>

濃度過低：去膠需延長時間（可能引入污染）,。

調(diào)整策略：以1%為步長增減濃度，對比潔凈度與基底損傷程度,。

溫度與時間協(xié)同

升高溫度（如從30℃→50℃）可降低所需濃度（如TMAH從10%→8%），但需防止基底氧化或膜層剝離,。

添加劑作用

表面活性劑（如非離子型）：增強潤濕性,，減少氣泡殘留。

緩蝕劑（如鉬酸鈉）：在金屬基底場景下保護鋁/銅不被腐蝕,。

螯合劑（如EDTA）：防止金屬離子污染清洗液,。

四、實際應(yīng)用案例

半導(dǎo)體晶圓去膠

配方：TMAH 10% + 表面活性劑0.1% + 去離子水,。

工藝：噴淋壓力0.5 bar,，溫度40℃,，時間15分鐘,。

效果：正膠去除,，硅片表面粗糙度Ra＜0.5 nm,。

光伏電池片清洗

配方：KOH 2% + 檸檬酸緩沖劑（pH 10）,。

工藝：浸泡處理,，常溫，20分鐘,。

優(yōu)勢：低成本,，兼容量產(chǎn)線。

PCB板去膠

配方：NMP 60% + 丙二醇甲醚40%,。

工藝：超聲波清洗（40kHz）,，60℃,，10分鐘,。

注意：需通風(fēng)處理揮發(fā)性有機物（VOCs）,。

五,、注意事項

安全操作

強堿性溶液（如TMAH）需佩戴防護裝備,，避免皮膚接觸,。

有機溶劑（如NMP）需在防爆環(huán)境中使用,，并回收廢液,。

廢液處理

堿性廢液：中和至pH 7~9后排放,，符合COD標(biāo)準(zhǔn)。

有機溶劑：蒸餾回收或委托專業(yè)機構(gòu)處理,。

設(shè)備兼容性

確認(rèn)清洗槽材質(zhì)（如PFA,、PTFE）耐化學(xué)腐蝕，密封件抗溶劑溶脹,。

濕法去膠液的比例需通過實驗驗證,，平衡去膠效率、基底安全性和成本,。建議從廠商推薦比例入手,，逐步優(yōu)化濃度、溫度和時間,，并配合添加劑實現(xiàn)定制化工藝。