磁控濺射設(shè)備性能：

　磁控濺射與蒸發(fā)鍍膜1主體均為優(yōu)質(zhì)不銹鋼制造,，耐腐蝕、抗污染,、漏率小;設(shè)備電控部分采用了*的檢測和控制系統(tǒng),，配置了較*的PLC觸摸編程控制，為用戶做多層膜提供了良好的設(shè)備功能保證,，磁控濺射與蒸發(fā)鍍膜1 且保證了設(shè)備各功能的穩(wěn)定和方便操作,。性能穩(wěn)定、可靠,；設(shè)備布局合理,，提高了利用率和穩(wěn)定性，減少了對環(huán)境的干擾,；控制面板的設(shè)計考慮了美觀和適用的結(jié)合,，使面板操作指示明確，觀察舒適,、操作方便,。

　　主要技術(shù)參數(shù):

　　1、3支￠100永磁靶（帶擋板）一支￠50永磁靶

　　2,、一次可鍍￠100襯底樣品4塊,，也可縮小

　　3、極限真空度：6×10-6 Pa

　　4,、設(shè)備總漏放率：關(guān)機(jī)停泵12小時后,，真空度優(yōu)于10pa

　　5、襯底可調(diào)速自轉(zhuǎn)

　　6,、襯底可加熱,，室溫～350℃

　　7、恢復(fù)工作時間40分鐘,，真空度可達(dá)6×10-4 Pa

　　附注：磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下,，在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子,；新電子飛向基片,，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面,，使靶材發(fā)生濺射,。在濺射粒子中,，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會受到電場和磁場作用,，產(chǎn)生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移,，簡稱E×B漂移，其運動軌跡近似于一條擺線,。若為環(huán)形磁場,，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動，它們的運動路徑不僅很長,，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi),，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實現(xiàn)了高的沉積速率,。隨著碰撞次數(shù)的增加,，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠(yuǎn)離靶表面,，并在電場E的作用下終沉積在基片上,。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小,，致使基片溫升較低,。