高真空蒸發(fā)鍍膜為方型室蒸鍍設(shè)備，可滿足用戶實(shí)現(xiàn)單質(zhì)膜,，多層膜及鍍制復(fù)合膜的工藝要求,。

　　蒸鍍室是以電阻加熱的方式實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)鍍膜功能的，它是在高真空條件下,，通過加熱材料的方法,，在需鍍襯底上蒸鍍各種金屬單層或多層膜，適用于實(shí)驗(yàn)室制備金屬,、氧化物,、介質(zhì)、掃描電鏡制樣等,，也可用作教學(xué)及生產(chǎn)線前期工藝試驗(yàn)等,，整套設(shè)備操作簡便，綜合功能多,，擴(kuò)展空間大,，適合及滿足院校的教學(xué)與科研

　　高真空蒸發(fā)鍍膜由于采用了超高真空密封技術(shù)，極限真空高,，恢復(fù)工作真空時間短,；整機(jī)主要采用金屬密封技術(shù)及超高真空閥門，前后開門采用氟膠圈,，真空管路用不銹鋼金屬波紋管路,，避免了傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)帶來的安裝維護(hù)困難的問題。

　　設(shè)備工作條件

　　1,、供電：～380V三相供電系統(tǒng)（容量12KW）,，冷卻水循環(huán)量0.3M3/H，工作環(huán)境溫度10℃～40℃,，冷卻水溫度15℃～20℃,。

　　2、設(shè)備極限真空：5×10-5Pa,；漏率：7×10-8Pa•L/S,；工作真空：6×10-4Pa；恢復(fù)工作真空時間小于40分鐘（充干燥氮?dú)猓?/span>

　　3,、基片轉(zhuǎn)速：5～30轉(zhuǎn)／分 連續(xù)可調(diào),。

　　4、基片尺寸4英寸,，基片離蒸發(fā)源的間距為260mm±40mm,。

　　5、設(shè)備安裝面積1.8m（L）x1.5m（B）x1.9m（H）,。