1.設(shè)備用途：磁控濺射設(shè)備 1是一種超高真空多靶磁控濺射沉積鍍膜實驗平臺,，用磁控濺射的方法制備孤立分散的量子點和納米晶顆粒等薄膜,、半導(dǎo)體薄膜、氧化物薄膜及Fe和Cu等金屬薄膜,。該設(shè)備可以根據(jù)工藝的需要選擇單靶獨立工作,、四靶輪流工作或四靶任意組合共濺等工作模式。該設(shè)備由主腔室和預(yù)備室兩個真空室組成,。主腔室用于鍍制薄膜,，完成用戶主要鍍膜工藝過程。預(yù)備室通過高真空插板閥與主腔室相連,，可以用于鍍膜前基片與鍍膜后薄膜的等離子清洗,，并可以在不破壞主腔室真空的條件下更換基片。

2. 靶,、基片及加熱材料

磁控濺射設(shè)備 1可以采用單靶獨立工作或四只靶輪流工作,、任意兩靶組合共濺、三靶組合共濺等工作模式,，向心濺射,，射頻直流兼容。

所有靶面均可以沿軸向電動位移,，所有靶上都帶有電動檔板,，以防止靶面在未工作時被污染。

3. 基片有效鍍膜直經(jīng)：可達4吋,，整個基片上的薄膜厚度不均勻度≤5﹪,，基片架采用框式結(jié)構(gòu)，樣品交接容易,，基片架不變形,，鍍膜時基片轉(zhuǎn)動，旋轉(zhuǎn)速度5～60轉(zhuǎn)/分可調(diào),，鍍膜均勻。基片有擋板,，防止污染,。樣品加熱溫度：常溫～1000○C可調(diào), 常溫～1400○C可調(diào), 常溫～1700○C可調(diào)。

該設(shè)備配有基片擋板,，以防止束源未穩(wěn)定工作時污染基片,。樣品架在鍍膜時旋轉(zhuǎn)，基片上薄膜生長均勻,，其整個基片上的薄膜厚度不均勻度≤3﹪,。