一,、設(shè)備概述

　　1,、平臺(tái)用途：磁控濺射與分子束外延是一種超高多靶磁控濺射沉積—多功能電子束—分子束聯(lián)合蒸發(fā)鍍膜實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，用磁控濺射的方法制備孤立分散的量子點(diǎn)和納米晶顆粒等薄膜,、半導(dǎo)體薄膜及Fe和Cu等金屬薄膜,，用超高真空電子束—分子束聯(lián)合蒸發(fā)鍍膜的方法制備Ti,、Al和Cu等金屬電極膜及化合物、半導(dǎo)體薄膜,，同時(shí)還可以用于基片和薄膜的等離子清洗退火,。

　　2、靶,、基片及加熱材料

　　磁控濺射與分子束外延可以采用單靶獨(dú)立工作或三只靶輪流工作,、任意兩靶組合共濺、三靶組合共濺等工作模式,，向心濺射,，射頻直流兼容，靶材可以是金屬或陶瓷等,，磁性材料或非磁性材料,。

　　所有靶面均可以沿軸向電動(dòng)位移，大位移量±100mm,，可變角度0～30º,。所有靶上都帶有電動(dòng)檔板，以防止靶面在未工作時(shí)被污染,。

　　靶芯采用新式磁場(chǎng)結(jié)構(gòu),，靶面刻蝕均勻，靶材利用率高,，基片上薄膜生長(zhǎng)均勻,，其整個(gè)基片上的薄膜厚度不均勻度≤3﹪。

　　該設(shè)備有電動(dòng)基片擋板,，以防止靶未穩(wěn)定工作時(shí)污染基片,。

　　3、基片及加熱材料

　　該設(shè)備的基片有效鍍膜直經(jīng)：4吋,，整個(gè)基片上的薄膜厚度不均勻度≤5﹪,，基片架采用框式結(jié)構(gòu)，樣品交接容易,，基片架不變形,，鍍膜時(shí)基片轉(zhuǎn)動(dòng)，旋轉(zhuǎn)速度2～30轉(zhuǎn)/分可調(diào),，鍍膜均勻,。基片有擋板,，防止污染,。基片加熱器及溫控系統(tǒng)1套，基片加熱器電動(dòng)升降機(jī)構(gòu)行程±20mm,，樣品加熱溫度：常溫～1700○C可調(diào),。基片電動(dòng)升降機(jī)構(gòu)行程±30mm,，焊接金屬波紋管密封,真空室真空度可達(dá)2×10-7Pa

　　該設(shè)備配有基片擋板,，以防止束源未穩(wěn)定工作時(shí)污染基片。樣品架在鍍膜時(shí)旋轉(zhuǎn),，基片上薄膜生長(zhǎng)均勻,，其整個(gè)基片上的薄膜厚度不均勻度≤3﹪,。