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磁控濺射鍍膜儀主要用于在真空條件下,，利用濺射原理在基體表面沉積薄膜,，以制備金屬、合金,、化合物,、半導(dǎo)體、陶瓷,、介質(zhì)復(fù)合膜及其它化學(xué)反應(yīng)膜等,。這種設(shè)備廣泛應(yīng)用于電子、光電,、光學(xué),、醫(yī)療等行業(yè),，用于鍍制各種單層膜、多層膜,、摻雜膜及合金膜,，可鍍制磁性材料和非磁性材料。
磁控濺射鍍膜儀的工作原理基于濺射現(xiàn)象,。通常將欲沉積的材料制成板材靶,，固定在陰極上，基片置于正對靶面的陽極上,，距靶一定距離,。系統(tǒng)抽至高真空后充入一定壓強(qiáng)的氣體(通常為氬氣)，在陰極和陽極間加幾千伏電壓,，兩極間即產(chǎn)生輝光放電。放電產(chǎn)生的正離子在電場作用下飛向陰極,，與靶表面原子碰撞,，受碰撞從靶面逸出的靶原子稱為濺射原子，這些濺射原子在基片表面沉積成膜,。
在磁控濺射過程中,，電子在電場和磁場的作用下，產(chǎn)生E×B漂移(電場與磁場交互作用產(chǎn)生的漂移),，其運動軌跡近似于一條擺線,。若為環(huán)形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動,，它們的運動路徑不僅很長,，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar正離子來轟擊靶材,，從而實現(xiàn)了高的沉積速率,。
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