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北京瑞科中儀科技有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第2年

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  • 反應(yīng)離子刻蝕機(jī)

    簡(jiǎn)要描述:反應(yīng)離子刻蝕機(jī)我們的等離子蝕刻設(shè)備包括用功能強(qiáng)大的用戶友好軟件與模擬圖形用戶界面,,參數(shù)窗口,工藝窗口,,數(shù)據(jù)記錄和用戶管理,。

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 10:02:51 對(duì)比
    反應(yīng)離子刻蝕機(jī)離子刻蝕機(jī)刻蝕機(jī)
  • 英國光柵刻蝕

    簡(jiǎn)要描述:英國光柵刻蝕三螺旋平行板天線(PTSA)等離子源是SENTECH等離子體工藝設(shè)備的屬性。PTSA源能生成具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體,。它具...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 10:01:07 對(duì)比
    英國光柵刻蝕光柵刻蝕刻蝕機(jī)
  • 日本傾斜角RIE等離子蝕刻機(jī)的簡(jiǎn)介

    日本傾斜角RIE等離子蝕刻機(jī)的簡(jiǎn)介:日本傾斜角刻蝕代表了直接置片等離子刻蝕機(jī)家族,,它結(jié)合了RIE的平行板電極設(shè)計(jì)和直接置片的成本效益設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)。Etchlab2...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:58:52 對(duì)比
    日本傾斜角刻蝕傾斜角刻蝕
  • 進(jìn)口深硅刻蝕

    簡(jiǎn)要描述:進(jìn)口深硅刻蝕:三螺旋平行板天線(PTSA)等離子源是SENTECH等離子體工藝設(shè)備的屬性,。PTSA源能生成具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體,。它...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:56:23 對(duì)比
    進(jìn)口深硅刻蝕刻蝕機(jī)
  • RIE等離子刻蝕機(jī)2

    簡(jiǎn)要描述:RIE等離子刻蝕機(jī)2我們的等離子蝕刻設(shè)備包括用功能強(qiáng)大的用戶友好軟件與模擬圖形用戶界面,參數(shù)窗口,,工藝窗口,,數(shù)據(jù)記錄和用戶管理。

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:54:04 對(duì)比
    RIE等離子刻蝕機(jī)2等離子刻蝕機(jī)
  • RIE等離子刻蝕機(jī)

    簡(jiǎn)要描述:RIE等離子刻蝕機(jī)該等離子刻蝕機(jī)配備了用戶友好的強(qiáng)大軟件,,具有模擬圖形用戶界面,,參數(shù)窗口,工藝編輯窗口,,數(shù)據(jù)記錄和用戶管理,。

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:52:10 對(duì)比
    RIE等離子刻蝕機(jī)等離子刻蝕機(jī)SENTECH
  • ICP-RIE等離子刻蝕機(jī)

    簡(jiǎn)要描述:ICP-RIE等離子刻蝕機(jī)三螺旋平行板天線(PTSA)等離子源是SENTECH等離子體工藝設(shè)備的屬性。PTSA源能生成具有高離子密度和低離子能量的均勻...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:50:18 對(duì)比
    ICP-RIE等離子刻蝕機(jī)等離子刻蝕機(jī)SENTECH
  • 便攜式樣品傳送腔體沉積系統(tǒng)

    簡(jiǎn)要描述:便攜式樣品傳送腔體沉積系統(tǒng)是一種專門設(shè)計(jì)用于在超高真空環(huán)境中傳送和處理樣品的設(shè)備,。這種設(shè)備通常包括一個(gè)或多個(gè)關(guān)鍵組成部分,,如連接真空計(jì)的接口、反射式光...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:48:12 對(duì)比
    便攜式樣品傳送腔體便攜式樣品
  • 4/6英寸輻射式樣品臺(tái)系統(tǒng)

    簡(jiǎn)要描述:4/6英寸輻射式樣品臺(tái)系統(tǒng)“可能指的是一種用于實(shí)驗(yàn)或研究的設(shè)備或組件,,特別是在材料科學(xué)、物理學(xué),、工程學(xué)或其他需要精確控制和分析樣品的環(huán)境中的設(shè)備,。

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:46:11 對(duì)比
    品臺(tái)系統(tǒng)樣品臺(tái)系統(tǒng)沉積系統(tǒng)
  • 插拔式加熱器沉積系統(tǒng)

    簡(jiǎn)要描述:插拔式加熱器沉積系統(tǒng)是一種方便,、實(shí)用的加熱設(shè)備,廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)和商業(yè)領(lǐng)域,。這種加熱器通常具有緊湊的設(shè)計(jì),,可以方便地插入到電源插座中,提供快速,、高效...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:43:47 對(duì)比
    插拔式加熱器沉積系統(tǒng)沉積系統(tǒng)
  • 脈沖激光沉積樣品臺(tái)

    簡(jiǎn)要描述:脈沖激光沉積樣品臺(tái)是一種物理氣相沉積技術(shù),,用于在襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量的薄膜。脈沖激光沉積系統(tǒng)中的樣品臺(tái)是一個(gè)關(guān)鍵組件,,用于支撐和加熱待沉積的樣品,。

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:41:36 對(duì)比
    脈沖激光沉積樣品臺(tái)沉積樣品臺(tái)
  • 脈沖激光沉積靶臺(tái)

    簡(jiǎn)要描述:脈沖激光沉積靶臺(tái)的設(shè)計(jì)和應(yīng)用對(duì)于脈沖激光沉積系統(tǒng)的性能和實(shí)驗(yàn)結(jié)果具有重要影響。通過綜合考慮穩(wěn)定性,、熱隔離,、靈活性、靶材均勻性,、冷卻機(jī)制以及靶材旋轉(zhuǎn)等因...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:39:40 對(duì)比
    脈沖激光沉積靶臺(tái)激光沉積靶臺(tái)
  • 脈沖激光沉積系統(tǒng)激光光路

    簡(jiǎn)要描述:脈沖激光沉積系統(tǒng)激光光路是一個(gè)高度復(fù)雜和精密的系統(tǒng),,需要各個(gè)部分的緊密配合和精確控制,才能制備出高質(zhì)量的薄膜,。同時(shí),,隨著科技的發(fā)展,脈沖激光沉積技術(shù)也...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:37:19 對(duì)比
    脈沖激光沉積系統(tǒng)激光光路脈沖激光沉積系統(tǒng)
  • 單腔體脈沖激光沉積系統(tǒng)

    簡(jiǎn)要描述:?jiǎn)吻惑w脈沖激光沉積系統(tǒng)是一種的材料制備技術(shù),,它利用脈沖激光的高能量密度來蒸發(fā)和電離靶材上的物質(zhì),,并在基底上沉積形成各種物質(zhì)薄膜。這種系統(tǒng)通常包括一個(gè)沉...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:35:01 對(duì)比
    單腔體脈沖激光沉積系統(tǒng)激光沉積系統(tǒng)
  • 雙腔體脈沖激光沉積系統(tǒng)

    簡(jiǎn)要描述:雙腔體脈沖激光沉積系統(tǒng)(Dual Chamber Pulsed Laser Deposition System)是一種的薄膜制備技術(shù),,它結(jié)合了脈沖激光...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:32:46 對(duì)比
    雙腔體脈沖激光沉積系統(tǒng)激光沉積系統(tǒng)
  • 電漿原子層沉積設(shè)備

    簡(jiǎn)要描述:電漿原子層沉積設(shè)備是一種基于常規(guī)ALD的方法,,其利用電漿作為裂化前驅(qū)物材料的條件,而不是僅依靠來自加熱基板的熱能,。

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:30:24 對(duì)比
    電漿原子層沉積設(shè)備原子層沉積設(shè)備
  • 原子層沉積設(shè)備2

    簡(jiǎn)要描述:原子層沉積設(shè)備2為一種氣相化學(xué)沉積技術(shù),。大多數(shù)的ALD反應(yīng),將使用兩種化學(xué)物質(zhì)稱為前驅(qū)物,。這些前驅(qū)物以連續(xù)且自限的方式與材料表面進(jìn)行反應(yīng),。

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:28:24 對(duì)比
    原子層沉積設(shè)備2沉積設(shè)備
  • 原子層沉積系統(tǒng)

    簡(jiǎn)要描述:原子層沉積系統(tǒng)是基于順序使用氣相化學(xué)過程的最重要技術(shù)之一;它可以被視為一種特殊類型的化學(xué)氣相沉積(CVD),。多數(shù)ALD反應(yīng)使用兩種或更多種化學(xué)物質(zhì)(稱...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:26:51 對(duì)比
    原子層沉積系統(tǒng)沉積系統(tǒng)
  • 批量式電漿輔助氣相沉積設(shè)備

    簡(jiǎn)要描述:批量式電漿輔助氣相沉積設(shè)備為一種使用化學(xué)氣相沉積技術(shù),,可為沉積反應(yīng)提供能量。與傳統(tǒng)的CVD方法相比,,可在較低的溫度下沉積各種薄膜且不會(huì)降低薄膜質(zhì)量,。

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:24:54 對(duì)比
    批量式電漿輔助氣相沉積設(shè)備
  • FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積

    簡(jiǎn)要描述:FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積:隨著LCD面板和制造所需玻璃的尺寸的增加,其制造設(shè)備也變得更大,需要越來越大的設(shè)備投資,。SYSKEY針對(duì)中小...

    型號(hào): 所在地:北京市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/10 9:22:32 對(duì)比
    FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積

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