由于離子能量低，離子能量分布帶寬窄,，因此可以用我們的等離子體刻蝕機(jī)SI 500進(jìn)行低損傷刻蝕和納米結(jié)構(gòu)的刻蝕。

高速刻蝕

對于具有高深寬比的高速硅基MEMS刻蝕，光滑的側(cè)壁可以通過室溫下氣體切換工藝或低溫工藝即可很容易地實現(xiàn),。

自主研發(fā)的ICP等離子源

三螺旋平行板天線(PTSA)等離子源是SENTECH等離子體工藝設(shè)備的屬性。PTSA源能生成具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體,。它具有高耦合效率和非常好的起輝性能,，非常適用于加工各種材料和結(jié)構(gòu)。

動態(tài)溫度控制

在等離子體刻蝕過程中,，襯底溫度的設(shè)定和穩(wěn)定性對于實現(xiàn)高質(zhì)量蝕刻起著至關(guān)重要的作用,。動態(tài)溫度控制的ICP襯底電極結(jié)合氦氣背冷和基板背面溫度傳感，可在-150°C至+400°C的廣泛溫度范圍內(nèi)提供了優(yōu)良的工藝條件,。

SI 500為研發(fā)和生產(chǎn)提供的電感耦合等離子體(ICP)工藝設(shè)備,。ICP-RIE等離子刻蝕機(jī)基于ICP等離子體源PTSA,，動態(tài)溫度控制的襯底電極，全自動控制的真空系統(tǒng),，使用遠(yuǎn)程現(xiàn)場總線技術(shù)的的SETECH控制軟件和用于操作SI 500的用戶友好的通用接口,。靈活性和模塊化是SI 500主要的設(shè)計特點。

SI 500 ICP等離子刻蝕機(jī),，可以用于加工各種各樣的襯底,，從直徑高達(dá)200 mm的晶片到裝載在載片器上的零件,。單晶片預(yù)真空室保證穩(wěn)定的工藝條件，并且切換工藝非常容易,。

SI 500 ICP等離子刻蝕機(jī),，通過配置可用于刻蝕不同材料，包括但不于例如三五族化合物半導(dǎo)體(GaAs, InP, GaN, InSb),，介質(zhì),，石英，玻璃,，硅和硅化合物(SiC, SiGe),還有金屬等,。

SENTECH提供用戶不同級別的自動化程度，從真空片盒載片到一個工藝腔室到六個工藝模塊端口,，可用于不同的蝕刻和沉積工藝模塊組成多腔系統(tǒng),，目標(biāo)是高靈活性或高產(chǎn)量。SI 500 ICP等離子刻蝕機(jī)也可用作多腔系統(tǒng)中的工藝模塊,。