矽化合物蝕刻SiO2,、SiN4),。

微機電系統(tǒng)。

金屬、矽與光阻蝕刻,。

陽極電鍍處理鋁腔,。

通過使用水冷系統(tǒng),、加熱器或加熱包來控制腔體溫度,。

客製化的基板尺寸，直徑可達(dá)12吋,。

蝕刻系統(tǒng)中,，ICP、RIE,、ALE與DRIE可在同一腔內(nèi),。

優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3％。

具有高均勻氣體分佈的質(zhì)量流量控制器,。

穩(wěn)定的溫度控制,，將載臺加熱至200°C或冷卻至-20°C。

使用Tornado ICP線圈,，ICP電漿高達(dá)2000W,，可增強低溫下的沉積。

由於使用低能量進(jìn)行蝕刻,，其損傷率也是較低的,。

基板具有氦氣冷卻之功能，均勻的控制溫度,。

均勻的氣體擴散,，具有優(yōu)化的氣體分佈。

靜電吸盤,。

蝕刻終點偵測（OES,，激光）相容性。

可以與傳送腔,、機械手臂和手套箱整合在一起,。