反應(yīng)離子蝕刻設(shè)備機器中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓,、蝕刻速率和均勻性,，並具有重複性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的,。

因此,，RIE製程是化學(xué)物理蝕刻製程，也是半導(dǎo)體製造中用於構(gòu)造各種薄膜的最重要製程,。SYSKEY的系統(tǒng)可以精準的控制製程氣體與電漿製程,，並提供高品質(zhì)的薄膜。

根據(jù)蝕刻技術(shù)的不同,，等離子體蝕刻技術(shù)可以分為三類：純物理性質(zhì)的沖擊蝕刻,、純化學(xué)反應(yīng)的化學(xué)蝕刻和物理化學(xué)反應(yīng)的沖擊蝕刻。純粹的物理沖擊顯然與濺射物理學(xué)相似,，氬元素（Ar）是由電離輝光釋放而成,，利用氬離子的力量,，將氬離子陰極微金屬沖擊在陰極板（晶圓）的位置，沖擊通過薄薄的頂層,，氬離子陷阱蝕刻以再生轟擊,，從而加速其實現(xiàn)蝕刻目標。以這種方式轟擊粒子實現(xiàn)的蝕刻被稱為具有純物理特性的沖擊蝕刻,，因為它是將純能量轉(zhuǎn)化為物理特性,。物理性質(zhì)的優(yōu)點是激勵波明顯分離加速和強定向，因此輪廓清晰,，轉(zhuǎn)向圈具有良好的寬度和高各向異性,。然而，通過純粹的物理沖擊實現(xiàn)蝕刻目標的缺點是,，當(dāng)要蝕刻的薄膜被蝕刻時,，暴露在等離子體上的金屬涂層也被蝕刻，導(dǎo)致蝕刻的選擇性比率很差,。這是因為金屬離子也會接觸到涂層基材,，所以刻蝕的終點也需要精密控制，以避免造成基層的破壞,。此外,，由于受沖擊的材料通常是固體顆粒，這種化合物可以沉積在刻蝕膜的表面和側(cè)壁上,，導(dǎo)致涂膜下的材料表面出現(xiàn)材料染色,。

然后通過等離子體擴散到未拉伸的薄膜和薄膜層材料的表面化學(xué)反應(yīng)基團中，產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),，純化學(xué)反應(yīng),，化學(xué)反應(yīng)中產(chǎn)生的物質(zhì)帶有高度揮發(fā)性，并隨著未反應(yīng)的物質(zhì)一同被排出反應(yīng)腔體,。純化學(xué)反應(yīng)蝕刻和濕法蝕刻一樣,，也有優(yōu)點和缺點，如良好的刻蝕選擇性比率,、各向同性的蝕刻,、成本低。

反應(yīng)離子蝕刻設(shè)備機器參數(shù)