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FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積

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更新時間:2024-10-10 09:22:32瀏覽次數(shù):177次

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價格區(qū)間 面議 應用領域 環(huán)保,生物產(chǎn)業(yè),石油,制藥,綜合
簡要描述:FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積:隨著LCD面板和制造所需玻璃的尺寸的增加,,其制造設備也變得更大,需要越來越大的設備投資,。SYSKEY針對中小尺寸的需求開發(fā)串集的PECVD 設備,,提供非晶矽(a-Si),氧化矽(SiOx),,氮氧化矽(SiON),,氮化矽(SiNx)和多層膜沉積。

FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積

FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積

隨著LCD面板和製造所需玻璃的尺寸的增加,,其製造設備也變得更大,,需要越來越大的設備投資,。SYSKEY針對中小尺寸的需求開發(fā)串集的PECVD 設備,,提供非晶矽(a-Si),氧化矽(SiOx),氮氧化矽(SiON),,氮化矽(SiNx)和多層膜沉積,。

FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積

FPD-PECVDField Plasma Discharge Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)是一種電漿輔助化學氣相沉積技術,它利用電場產(chǎn)生的等離子體來促進化學氣相沉積過程,。該技術在薄膜材料的制備中具有重要作用,,特別是在大面積平板顯示(Flat Panel DisplayFPD)制造領域,。

FPD-PECVD技術通過在反應室內(nèi)施加電場,,激發(fā)氣體分子產(chǎn)生等離子體。等離子體中的高能粒子與化學前驅(qū)體分子發(fā)生反應,,形成沉積在基板上的薄膜,。與傳統(tǒng)的PECVD技術相比,FPD-PECVD能夠更有效地控制等離子體的分布和能量,,從而提高薄膜的質(zhì)量和均勻性,。

該技術廣泛應用于液晶顯示器(LCD)和有機發(fā)光二極管(OLED)面板的生產(chǎn)中,用于沉積絕緣層,、導電層,、保護層等關鍵薄膜。FPD-PECVD技術的優(yōu)化和應用對于提升顯示面板的性能和生產(chǎn)效率具有重要意義,。

應用領域
  • 非晶矽前驅(qū)物(a-Si),。

  • 氮化矽 (SiNx)。

  • 氧化矽,,矽烷基(SiOx),。

  • 氧化矽,TEOS (SiOx),。


配置和優(yōu)點選件
  • 客製化基板尺寸為550 x 650 mm2(玻璃),。

  • 優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3%。

  • 每個製程腔內(nèi)最多可加裝7組氣體管線,。

  • 遠程電漿進行腔體清潔,。

  • 穩(wěn)定的溫度控制,可將基板加熱到380°C,。

  • Cassette傳送站,。

  • TEOS沉積製程。

  • OES,、RGA或製程監(jiān)控的額外備用端口,。




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