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感應耦合電漿化學氣相沉積設備

參  考  價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)代理商

所  在  地北京市

更新時間:2024-10-10 09:20:27瀏覽次數(shù):145次

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價格區(qū)間 100萬-200萬 應用領域 環(huán)保,生物產(chǎn)業(yè),石油,制藥,綜合
簡要描述:感應耦合電漿化學氣相沉積設備是一種使用ICP的化學氣相沉積技術,,可為沉積反應提供一些能量。與PECVD方法相比,,ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜而不會降低薄膜質(zhì)量,。因使用ICP做為電漿源,有電漿濃度較高,、能量損耗較低,、功率較大與反應速率較高等優(yōu)點。

感應耦合電漿化學氣相沉積設備

ICP-CVD 感應耦合電漿化學氣相沉積設備(ICP-CVD)是一種使用ICP的化學氣相沉積技術,,可為沉積反應提供一些能量,。與PECVD方法相比,ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜而不會降低薄膜質(zhì)量,。因使用ICP做為電漿源,,有電漿濃度較高、能量損耗較低,、功率較大與反應速率較高等優(yōu)點,。

SYSKEY感應耦合電漿化學氣相沉積設備的ICP-CVD可以精準的控制製程氣體與監(jiān)控其數(shù)據(jù)(壓力、載臺溫度),,並提供高品質(zhì)的薄膜,。

應用領域腔體
  • 奈米碳管與石墨烯製程,。

  • SiOx、SiNx,、a-Si,、DLC和其他薄

    膜製程。

  • 二維材料,。

  • 醫(yī)療和商業(yè)產(chǎn)品的耐磨薄膜,。

  • 陽極電鍍處理鋁腔。

  • 通過使用水冷系統(tǒng),、加熱器或

    加熱包來控制腔體溫度,。


配置和優(yōu)點選件
  • 客製化的基板尺寸,直徑可達

    12寸晶圓,。

  • 腔體壓力:50~10-3 Torr,。

  • 精準流量控制器,氣體分佈高度均勻,,最多可擴充10條氣體管線,。

  • 穩(wěn)定的溫度控制,將載盤加熱至700°C,。

  • 使用Tornado ICP線圈,,ICP電漿範

    圍為50W ~2000W,滿足客戶ICP-CVD製程需求,。

  • 可以與傳送腔,、機械手臂和手

    套箱整合在一起。

  • RPS用於腔體清潔,。

  • 橢圓偏振光譜儀,。

  • 發(fā)射光譜儀。

  • 高真空傳送系統(tǒng),。





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