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315 | 賽默飛為半導(dǎo)體行業(yè)提供貨真價實的完整解決方案

閱讀：28 發(fā)布時間：2024-11-20

條題為「以國家安全為由終止半導(dǎo)體博通收購高通」的新聞，在半導(dǎo)體行業(yè)圈引起了熱議,，因為這筆交易如果達成,，將是半導(dǎo)體行業(yè)迄今的一筆收購,。

為什么此行業(yè)會讓美國總統(tǒng)都如此關(guān)注呢？就讓小編給您簡單分析一下,，并帶來我們?yōu)槟鷾?zhǔn)備的一大波干貨吧,。通俗地說，我們?nèi)粘Ｉ钪械碾娨暀C,、電腦及時刻不離手的手機中的核心單元都和半導(dǎo)體有極為密切的關(guān)聯(lián),。

在《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》和國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資資金的推動下，中國半導(dǎo)體市場已成為增長引擎,。半導(dǎo)體之于集成電路,，如同土地之于城市。世界各國都把集成電路產(chǎn)業(yè)作為戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)來對待,，競相投入大量的人力,、物力和資金。所以,，很多觀點認(rèn)為,，如果不制止這項收購計劃，博通收購高通后將一家獨大,，這將嚴(yán)重影響美國在該領(lǐng)域的技術(shù)進步速度,，可能導(dǎo)致美國今后在移動通訊領(lǐng)域的國際競爭中處于下風(fēng)。

但是,，對國家經(jīng)濟發(fā)展非常重要的半導(dǎo)體行業(yè)卻面臨一些技術(shù)難題,，如單晶硅錠和晶圓的品質(zhì)、清洗劑和刻蝕劑中的離子態(tài)雜質(zhì),、金屬雜質(zhì),、有機物雜質(zhì)等，會使生產(chǎn)良率受到影響,，從而導(dǎo)致經(jīng)濟效益下降,。

賽默飛可為半導(dǎo)體及相關(guān)行業(yè)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)提供技術(shù)支撐及完整解決方案，如痕量金屬元素及無機元素雜質(zhì)檢測方案,、痕量離子態(tài)雜質(zhì)檢測方案,、RoHS 解決方案、環(huán)境安方案,，滿足分析需求,。

在正舉辦的中國國際半導(dǎo)體設(shè)備和材料展（ SENICON CHINA）上，賽默飛推出了新品 Thermo Scientifi?c™ iCAP™ TQs ICP MS,。

電感耦合等離子體質(zhì)譜儀（ICP-MS）可以輕松實現(xiàn)高純試劑（清洗劑和刻蝕劑）中痕量元素雜質(zhì)實驗室和在線分析、單晶硅錠和晶圓中痕量元素分析,、wafer 表面痕量元素分析及 RoHS 指令中鉛（Pb）,、鎘（Cd）,、汞（Hg）、六價鉻（Cr ( VI )）等重金屬元素的測定,。

而 iCAP TQs ICP MS 是信譽的 iCAP TQ ICP-MS 的專用半導(dǎo)體版本,。它提供了超高純度化學(xué)品中快速、可靠和可重復(fù)的低水平污染物測量,，以支持半導(dǎo)體生產(chǎn)過程的自動化在線監(jiān)測和統(tǒng)計過程控制,。在一個高性能解決方案中提供了新的超低檢測水平和簡單性。有了這個新系統(tǒng),，如今將化學(xué)分析從實驗室移到工廠成為可能,，并支持對化學(xué)浴進行在線控制，從而優(yōu)化響應(yīng)時間,。

提問

iCAP TQs ICP-MS 功能如此強大,，能解決哪些技術(shù)難題呢？

01 痕量金屬及無機元素雜質(zhì)檢測方案

（1）VPD 溶液的分析
氣相分解- 電感耦合等離子體質(zhì)譜聯(lián)用（VPD-ICP-MS）法,，具有業(yè)界所需的檢測限和穩(wěn)定性,，測試結(jié)果快速可靠，廣泛應(yīng)用于硅晶片的測試,，硅晶片的純度一般要求在 99.9999999% 以上,。

純度要求如此之高，這就到了 ICP-MS 大顯身手的時候了,！

VPD 樣品中含有高含量的酸和硅基體,，并且目標(biāo)檢測元素的含量通常也非常低，由于基體溶液會產(chǎn)生大量的多原子離子干擾（如表一所示）,，所以說 VPD 溶液的測試是挑戰(zhàn)性的,。為了得到更加精確的結(jié)果，干擾的去除是非常必要的,，比如使用串接式等 ICP-MS,，高分辨 ICP-MS 和使用碰撞反應(yīng)池等技術(shù)。

（2）半導(dǎo)體級異丙醇的分析

異丙醇（IPA）用清洗硅片的溶劑時,，會與硅片表面直接接觸,，因此，必須控制其痕量金屬雜質(zhì)濃度,。采用靈敏高的 ICP-MS 技術(shù)直接分析 IPA 可為 IPA 中超痕量分析物（ng ? L-1）提供有用的控制,，并避免由樣品制備引起的污染。

ICAP TQs ICP-MS 結(jié)合了三重四極桿和冷等離子體技術(shù),，該高度靈活的方法實現(xiàn)了半導(dǎo)體行業(yè)分析所需的超痕量背景等效濃度（BEC）和檢測限（LOD）,。

校正數(shù)據(jù)

圖 4 顯示了 IPA 中 Li、P,、K,、Ti,、As、Zr 和 Ta 的校正曲線,。采用校正標(biāo)準(zhǔn)品在 ng·L-1 級水平范圍內(nèi)測得的校正曲線呈現(xiàn)出優(yōu)異的線性和靈敏度,。通過三重四極桿模式和冷等離子體得到改善的干擾去除可實現(xiàn)更具挑戰(zhàn)性分析物的低背景噪聲。

02 RoHS 解決方案

賽默飛為 RoHS 指令中的有害物質(zhì)多溴聯(lián)苯,、多溴二苯醚阻燃劑,、鄰苯二甲酸酯和多環(huán)芳烴等有害物質(zhì)的測定提供加速溶劑萃取（ASE）前處理,、氣相色譜（GC）,、氣相色譜- 質(zhì)譜聯(lián)用儀（GC-MS）和高效液相色譜儀（HPLC）等檢測技術(shù)，并提供原子吸收光譜儀（AAS）,、電感耦合等離子發(fā)射光譜儀（ICP-OES）,、電感耦合等離子體- 質(zhì)譜儀（ICP-MS）和離子色譜儀（IC）用于測定鎘、鉛和汞,，分離并測定六價鉻,。具體詳情可參考《RoHS 指令檢測產(chǎn)品及技術(shù)——色譜質(zhì)譜及光譜儀綜合解決方案》或與我們聯(lián)系。

想了解更多半導(dǎo)體行業(yè)綜合解決方案,，請關(guān)注賽默飛色譜質(zhì)譜公眾號,。

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