非接觸Hall和方塊電阻測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
非接觸Hal和方塊電陽(yáng)測(cè)試系統(tǒng)，可對(duì)GaAs,InP,InAs,GaN,AIN,Si,SiC等各種半導(dǎo)體材料設(shè)計(jì)的HEMTs,pHEMTs,HBTs,FETs器...
SRP 擴(kuò)展電阻測(cè)試 參考價(jià)：面議
SRP 測(cè)試系統(tǒng),，采用擴(kuò)展電阻率技術(shù)(SRP),，對(duì)載流子濃度和電阻率隨深度的變化做快速測(cè)試。
準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)-光致發(fā)光測(cè)試設(shè)備 參考價(jià)：面議
準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)-光致發(fā)光可以將QSS準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)少子壽命測(cè)試和PL光致發(fā)光技術(shù)相結(jié)合,，快速獲得樣品的少子壽命分布圖譜信息,。
光致發(fā)光檢測(cè)設(shè)備 參考價(jià)：面議
光致發(fā)光主要對(duì)材料能帶結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)濃度和缺陷,，組分機(jī)理以及材料質(zhì)量進(jìn)行檢測(cè),。WT-2000PL專門針對(duì)PL應(yīng)用開發(fā)，具有非接觸,，快速,，可變溫，光斑等特點(diǎn),。
PV-2000A 光伏多功能掃描系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
Semilab PV-2000A是業(yè)界功能最（zui）先進(jìn)的,，用于晶硅太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)及光伏工藝研發(fā)的非接觸電學(xué)表征系統(tǒng),以滿足硅片到成品電池片不同工藝控制的測(cè)...
汞探針測(cè)試 參考價(jià)：面議
LEI Model2017B，通過汞探針接觸方法,，對(duì)各類半導(dǎo)體材料的載流子濃度分布進(jìn)行測(cè)試,，特別適合GaN.SiC等化合物材料,。
汞CV測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
汞CV測(cè)試系統(tǒng)，用于對(duì)外延或前道工藝中的non-pattemed晶片做汞C-V測(cè)試;MCV-530L可測(cè)最大200mm的樣品,。
CV-1500非接觸CV測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
CV-1500,，用于測(cè)試界面和介電層的科研平臺(tái)，基于SDI Corona-Kelvin技術(shù),，可以進(jìn)行非接觸C-V/I-V測(cè)試,。
深能級(jí)瞬態(tài)譜測(cè)試儀 參考價(jià)：面議
深能級(jí)瞬態(tài)譜儀(DLTS)是檢測(cè)半導(dǎo)體材料和器件缺陷和雜質(zhì)的最好技術(shù)手段，它可以測(cè)定各種深能級(jí)相關(guān)參數(shù),，如深能級(jí),，俘獲界面,，濃度分布等,。
納米壓痕測(cè)試設(shè)備 參考價(jià)：面議
對(duì)小體積樣品材料力學(xué)性質(zhì)進(jìn)行定量化測(cè)試的關(guān)鍵技術(shù)。
拉曼光譜分析 參考價(jià)：面議
拉曼光譜用來測(cè)試材料應(yīng)力,，摻雜濃度和sheet& pattem等,。從散射光的能量轉(zhuǎn)移，強(qiáng)度和偏振等方面可以獲取樣品豐富信息,如:結(jié)晶取向,，組分,，機(jī)械應(yīng)力，摻雜和...
原子力顯微鏡 參考價(jià)：面議
原子力顯微鏡使用非常小的探針,，掃描樣品表面,，在原子尺度探測(cè)樣品形貌。Semilab的AFM設(shè)備,，可靈活配置和測(cè)試,，具備優(yōu)異測(cè)試穩(wěn)定性和可靠性。
反射譜成像技術(shù) 參考價(jià)：面議
iSR是一種微光斑測(cè)試技術(shù),，用于實(shí)時(shí)刻蝕和Halftone工藝中的厚度測(cè)試
光譜型橢偏儀 參考價(jià)：面議
光譜型橢偏儀是多功能薄模測(cè)試系統(tǒng),，適合各種薄材料的研究。
少子壽命/ μ LBIC變溫測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
WT-2000MCT/μ LBIC 適用于對(duì)超低溫有特殊要求的材料,，比如HgCdTe,InSb,GaAs,InGaAs等,，它已被廣泛用于化合物材料的缺陷，雜質(zhì)和...
WT-2000半導(dǎo)體多功能測(cè)試 參考價(jià)：面議
WT-2000提供349nm,，904nm,，1064nm，1550nm等不同激發(fā)光,，適合Si,，SiC，GaAs,，CdZnTe,，InGaAs等各種材料電學(xué)參數(shù)測(cè)試,。
WT-1200A 單點(diǎn)式少子壽命測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
WT-1200A 是單點(diǎn)式少子壽命測(cè)試系統(tǒng)，具備無接觸等優(yōu)點(diǎn),。
高速相位差測(cè)量裝置 RE-200 參考價(jià)：面議
● 可測(cè)從0nm開始的低（殘留）相位差● 光軸檢出同時(shí)可高速測(cè)量相位差(Re.)（相當(dāng)于世界jie最zui快速的0.1秒以下來處理）● 無驅(qū)動(dòng)部,，重復(fù)再現(xiàn)性高●...
高速LED光學(xué)特性儀 LE series 參考價(jià)：面議
●與產(chǎn)線的控制信號(hào)同步●通過光纖的自由的測(cè)試系統(tǒng)●實(shí)現(xiàn)最短2ms～的光譜測(cè)量（LE-5400）●同以往的產(chǎn)品相比，測(cè)量演算評(píng)價(jià)1個(gè)周期有可到半分鐘以下的高速機(jī)型
高靈敏度近紅外量子效率測(cè)量系統(tǒng) QE-5000 參考價(jià)：面議
可以測(cè)量0.01%或更低的單線態(tài)氧的產(chǎn)生量子產(chǎn)率,。單線態(tài)氧 (1270 nm) 的簡(jiǎn)單直接光譜觀察可在用于生物應(yīng)用等的水性溶劑中測(cè)量,。
高感度分光輻射亮度計(jì) HS-1000 參考價(jià)：面議
采用具有高亮度和色度精度的光譜方法（衍射光柵），0.005cd / m 2的超低亮度到400,000cd / m 2的高亮度都可測(cè)量,，對(duì)應(yīng)CIE推薦的寬波長(zhǎng)范圍...
量子效率測(cè)量系統(tǒng) QE-2100 參考價(jià)：面議
測(cè)量精度高可瞬間測(cè)量絕對(duì)量子效率（絕對(duì)量子收率）可去除再激勵(lì)熒光發(fā)光 采用了積分半球unit,，實(shí)現(xiàn)了明亮的光學(xué)系統(tǒng)
膜厚量測(cè)儀 FE-300 參考價(jià)：面議
薄膜到厚膜的測(cè)量范圍UV~NIR光譜分析 高性能的低價(jià)光學(xué)薄膜量測(cè)儀藉由絕對(duì)反射率光譜分析膜厚完整繼承FE-3000高gao端機(jī)種90%的強(qiáng)大功能無復(fù)雜設(shè)定，操...
膜厚測(cè)量系統(tǒng) FE-3700/5700 參考價(jià)：面議
可以高速,、高精度地測(cè)量各種玻璃基板上各種薄膜的膜厚和光學(xué)常數(shù),。除了支持包括下一代尺寸在內(nèi)的大型玻璃基板外，它還支持 LCD,、TFT 和有機(jī) EL,。(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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