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首頁>>上海波銘科學(xué)儀器有限公司>>產(chǎn)品展示>>波銘科儀

  • SIRM紅外體微缺陷分析儀 參考價(jià)：面議

    SIRM是非接觸和非破壞型光學(xué)檢測(cè)設(shè)備,，對(duì)體微缺陷，如氧化物和金屬沉淀,，位錯(cuò),、堆垛層錯(cuò)，體材料中的滑線和空隙等進(jìn)行測(cè)試,。這個(gè)技術(shù)也可對(duì)GaAs 和 InP等復(fù)合...
    型號(hào)： 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：上海市 對(duì)比
    體微缺陷測(cè)試
    2025/1/23 13:07:39448

  • LST體微缺陷測(cè)試設(shè)備 參考價(jià)：面議

    LST是檢測(cè)半導(dǎo)體材料的體微缺陷有力工具,，通過CCD相機(jī)，對(duì)入射光在樣品邊沿的散射進(jìn)行掃描,，獲得體微缺陷分布信息,。
    型號(hào)： 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：上海市 對(duì)比
    體微缺陷測(cè)試
    2025/1/23 13:06:03449

  • 非接觸遷移率測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：面議

    LEIModel1605，是非接觸遷移率測(cè)試系統(tǒng)，可對(duì)各種半導(dǎo)體材料和器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行測(cè)試,。無需制樣,，消除了樣品制備引起的遷移率變化。
    型號(hào)： LEIModel1... 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：上海市 對(duì)比
    方塊電阻
    2025/1/23 13:03:42314

  • 非接觸方塊電阻測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：面議

    LEI88 是針對(duì)科研類客戶開發(fā)的產(chǎn)品,，具備非接觸快速測(cè)試方塊電阻和電導(dǎo)率功能,。
    型號(hào)： LEI88 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：上海市 對(duì)比
    方塊電阻
    2025/1/23 13:01:22357

  • 非接觸Hall和方塊電阻測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：面議

    非接觸Hal和方塊電陽測(cè)試系統(tǒng)，可對(duì)GaAs,InP,InAs,GaN,AIN,Si,SiC等各種半導(dǎo)體材料設(shè)計(jì)的HEMTs,pHEMTs,HBTs,FETs器...
    型號(hào)： 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：上海市 對(duì)比
    方塊電阻
    2025/1/23 12:58:55356

  • SRP 擴(kuò)展電阻測(cè)試 參考價(jià)：面議

    SRP 測(cè)試系統(tǒng),，采用擴(kuò)展電阻率技術(shù)(SRP),，對(duì)載流子濃度和電阻率隨深度的變化做快速測(cè)試。
    型號(hào)： 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：上海市 對(duì)比
    方塊電阻
    2025/1/23 12:56:38735

  • 準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)-光致發(fā)光測(cè)試設(shè)備 參考價(jià)：面議

    準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)-光致發(fā)光可以將QSS準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)少子壽命測(cè)試和PL光致發(fā)光技術(shù)相結(jié)合,，快速獲得樣品的少子壽命分布圖譜信息,。
    型號(hào)： 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：上海市 對(duì)比
    光致發(fā)光
    2025/1/23 12:54:19403

  • 光致發(fā)光檢測(cè)設(shè)備 參考價(jià)：面議

    光致發(fā)光主要對(duì)材料能帶結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)濃度和缺陷,，組分機(jī)理以及材料質(zhì)量進(jìn)行檢測(cè),。WT-2000PL專門針對(duì)PL應(yīng)用開發(fā)，具有非接觸,，快速,，可變溫，光斑等特點(diǎn),。
    型號(hào)： WT-2000PL 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：上海市 對(duì)比
    光致發(fā)光
    2025/1/23 12:52:45322

  • PV-2000A 光伏多功能掃描系統(tǒng) 參考價(jià)：面議

    Semilab PV-2000A是業(yè)界功能最（zui）先進(jìn)的,，用于晶硅太陽能電池片生產(chǎn)及光伏工藝研發(fā)的非接觸電學(xué)表征系統(tǒng),以滿足硅片到成品電池片不同工藝控制的測(cè)...
    型號(hào)： 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：上海市 對(duì)比
    少子壽命
    2025/1/23 12:50:45395

  • 汞探針測(cè)試 參考價(jià)：面議

    LEI Model2017B，通過汞探針接觸方法,，對(duì)各類半導(dǎo)體材料的載流子濃度分布進(jìn)行測(cè)試,，特別適合GaN.SiC等化合物材料。
    型號(hào)： LEI Model... 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：上海市 對(duì)比
    汞探針測(cè)試
    2025/1/23 12:49:09301

  • 汞CV測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：面議

    汞CV測(cè)試系統(tǒng),，用于對(duì)外延或前道工藝中的non-pattemed晶片做汞C-V測(cè)試;MCV-530L可測(cè)最大200mm的樣品。
    型號(hào)： 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：上海市 對(duì)比
    CV測(cè)試
    2025/1/23 12:47:03421

  • CV-1500非接觸CV測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：面議

    CV-1500,，用于測(cè)試界面和介電層的科研平臺(tái),，基于SDI Corona-Kelvin技術(shù)，可以進(jìn)行非接觸C-V/I-V測(cè)試,。
    型號(hào)： 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：上海市 對(duì)比
    CV測(cè)試
    2025/1/23 12:44:49368

  • 深能級(jí)瞬態(tài)譜測(cè)試儀 參考價(jià)：面議

    深能級(jí)瞬態(tài)譜儀(DLTS)是檢測(cè)半導(dǎo)體材料和器件缺陷和雜質(zhì)的最好技術(shù)手段,，它可以測(cè)定各種深能級(jí)相關(guān)參數(shù)，如深能級(jí),，俘獲界面,，濃度分布等。
    型號(hào)： 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：上海市 對(duì)比
    瞬態(tài)譜
    2025/1/23 12:42:19363

  • 納米壓痕測(cè)試設(shè)備 參考價(jià)：面議

    對(duì)小體積樣品材料力學(xué)性質(zhì)進(jìn)行定量化測(cè)試的關(guān)鍵技術(shù),。
    型號(hào)： 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：上海市 對(duì)比
    納米壓痕測(cè)試
    2025/1/23 12:40:37408

  • 拉曼光譜分析 參考價(jià)：面議

    拉曼光譜用來測(cè)試材料應(yīng)力,，摻雜濃度和sheet& pattem等。從散射光的能量轉(zhuǎn)移，強(qiáng)度和偏振等方面可以獲取樣品豐富信息,如:結(jié)晶取向,，組分,，機(jī)械應(yīng)力，摻雜和...
    型號(hào)： 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：上海市 對(duì)比
    拉曼光譜
    2025/1/23 12:38:43373

  • 原子力顯微鏡 參考價(jià)：面議

    原子力顯微鏡使用非常小的探針,，掃描樣品表面,，在原子尺度探測(cè)樣品形貌。Semilab的AFM設(shè)備,，可靈活配置和測(cè)試,，具備優(yōu)異測(cè)試穩(wěn)定性和可靠性。
    型號(hào)： 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：上海市 對(duì)比
    原子力顯微鏡
    2025/1/23 12:36:51358

  • 反射譜成像技術(shù) 參考價(jià)：面議

    iSR是一種微光斑測(cè)試技術(shù),，用于實(shí)時(shí)刻蝕和Halftone工藝中的厚度測(cè)試
    型號(hào)： 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：上海市 對(duì)比
    反射譜成像
    2025/1/23 12:35:18292

  • 光譜型橢偏儀 參考價(jià)：面議

    光譜型橢偏儀是多功能薄模測(cè)試系統(tǒng),，適合各種薄材料的研究。
    型號(hào)： 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：上海市 對(duì)比
    橢偏儀
    2025/1/23 12:30:58535

  • 少子壽命/ μ LBIC變溫測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：面議

    WT-2000MCT/μ LBIC 適用于對(duì)超低溫有特殊要求的材料,，比如HgCdTe,InSb,GaAs,InGaAs等,，它已被廣泛用于化合物材料的缺陷，雜質(zhì)和...
    型號(hào)： 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：上海市 對(duì)比
    少子壽命LBIC變溫測(cè)試
    2025/1/23 12:29:01314

  • WT-2000半導(dǎo)體多功能測(cè)試 參考價(jià)：面議

    WT-2000提供349nm,，904nm,，1064nm，1550nm等不同激發(fā)光,，適合Si,，SiC，GaAs,，CdZnTe,，InGaAs等各種材料電學(xué)參數(shù)測(cè)試。
    型號(hào)： 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：上海市 對(duì)比
    半導(dǎo)體多功能測(cè)試
    2025/1/23 12:26:51303

  • WT-1200A 單點(diǎn)式少子壽命測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：面議

    WT-1200A 是單點(diǎn)式少子壽命測(cè)試系統(tǒng),，具備無接觸等優(yōu)點(diǎn),。
    型號(hào)： 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：上海市 對(duì)比
    少子壽命測(cè)試
    2025/1/23 12:25:06474

  • 精密調(diào)諧阻尼研究光學(xué)平臺(tái) 參考價(jià)：面議

    Newport RS2000 精密調(diào)諧阻尼研究光學(xué)平臺(tái)? 調(diào)諧阻尼：2個(gè)精密調(diào)諧阻尼器? 寬帶阻尼：約束層芯，阻尼工作表面和復(fù)合邊緣處理? 工作表面：4.8 m...
    型號(hào)： Newport R... 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：上海市 對(duì)比
    精密調(diào)諧阻尼RS2000光學(xué)平臺(tái)阻尼研究光學(xué)平臺(tái)阻尼
    2025/1/22 21:32:053304

  • 光學(xué)平臺(tái)儀器架 參考價(jià)：面議

    光學(xué)平臺(tái)儀器架? 獨(dú)立于光學(xué)平臺(tái)外的設(shè)計(jì),，不會(huì)影響平臺(tái)隔振性能? 帶有電源插座的儀器架頂板,，帶漏電保護(hù)器? 儀器架頂板高度輕松可調(diào)，并可放置各種儀器,，安全方便?...
    型號(hào)： 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：上海市 對(duì)比
    光學(xué)平臺(tái)儀器架光學(xué)平臺(tái)儀器架
    2025/1/22 21:29:501820

  • 真蜂窩氣浮隔振光學(xué)平臺(tái) 參考價(jià)：面議

    OP-PAI系列真蜂窩氣浮隔振光學(xué)平臺(tái)? 水平方式：自動(dòng)充氣,，自動(dòng)平衡? 固有頻率：1～1.5Hz? 重復(fù)定位精度：±0.10mm? 臺(tái)面材料：SUS...
    型號(hào)： OP-PAI系列 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商所在地：上海市 對(duì)比
    氣浮隔振光學(xué)平臺(tái)光學(xué)平臺(tái)真蜂窩氣浮隔振氣浮隔振
    2025/1/22 21:28:021704
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