什么是輝光放電質(zhì)譜法（GD-MS）,？
輝光放電質(zhì)譜法（Glow Discharge Mass Spectrometry, GD-MS），利用輝光放電源作為離子源,，與質(zhì)譜分析器聯(lián)接進(jìn)行質(zhì)譜測定的一種分析方法,。
其主要特點包括：
直取樣品分析，無標(biāo)樣的半定量分析,，靈敏度高,，基體效應(yīng)較弱，檢出限可達(dá)ppb級…
主要應(yīng)用：
• 多元素分析掃描（Full Elements Survey-73 Elements）,；
• 材料純度分析（Purity Analysis）,；
• 材料多元素分布的縱向分析（Depth Profile）；
• QA/QC
ElementGD Plus–結(jié)構(gòu)及原理
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Element GD Plus GD-MS測試原理
輝光放電離子源中通入一定流速的惰性氣體（通常選用高純氬氣Ar）,，陰極和陽極之間施加一個電場,。當(dāng)達(dá)到足夠高的電壓（700~1200V）時，惰性氣體被擊穿電離,。電離產(chǎn)生的大量電子和正離子在電場作用下分別向相反方向加速，大量電子與氣體原子的碰撞過程輻射出特征的輝光在放電池中形成“負(fù)輝區(qū)”,。正離子則撞擊陰極（樣品）表面通過動能傳遞使陰極發(fā)生濺射。由于濺射和電離過程是兩個獨立的步驟,，因此相對靈敏度因子RSF幾乎在一個數(shù)量級內(nèi)。
Sputtering Process 濺射過程：
Ar+ ⇒ Sample+ e-
主要的IonizationMechanisms 離子化機(jī)制：
Electron Ionization 電子電離：
Sample+ e- ⇒ Sample+ + 2e-
Penning Ionization 彭寧離子化：
Sample + Ar∗ ⇒ Sample+ + Ar + e-
Element GD Plus GD-MS應(yīng)用實例
實例一
電解銅（始極片）的縱向元素分布評估
高純金屬（2N+ ~ 3N+）需要將原料依次提純加工,，最終才能得到可供應(yīng)半導(dǎo)體行業(yè)的高純金屬靶材（4N5+ ~ 6N5+）,。
以高純銅為例，通過提純加工電解銅,，真空熔煉鑄錠，到最終的靶材級別銅,。每個工藝步驟都需要對產(chǎn)品進(jìn)行關(guān)鍵的痕量元素進(jìn)行濃度檢測，并做純度評估,。
Element GD Plus GD-MS可幫助生產(chǎn)型企業(yè)級用戶快速完成相應(yīng)的檢測需求,。平均每個樣品僅需要10~20mins即可。真正意義上做到從生產(chǎn)原料到最終產(chǎn)品的全覆蓋痕量元素檢測（QA/QC） ,。
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電解銅（始極片），其厚度通常為0.Xmm（X00 μm）,，得益于Element GD Plus GD-MS所搭載的脈沖源（Pulsed mode），能夠?qū)崿F(xiàn)使用較小的濺射功率對此類較薄材料樣品進(jìn)行測試,，常被應(yīng)用于薄膜及鍍層材料的GD-MS分析中。
為了能夠體現(xiàn)出在不同的工藝參數(shù)及配比下,，Chip_1#與Chip_2#的樣品表面的雜質(zhì)元素的縱向分布情況 (如圖所示)。僅采用10 sec脈沖源預(yù)濺射(Pre-Sputtering),，測試時間~18mins/sample,，預(yù)計濺射深度~13.5 μm,。
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實例二
碳化硅涂層痕量元素的縱向分布評估
碳化硅的禁帶寬度大,，擊穿場強(qiáng),，具有較好的耐壓特性,，已被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)，新能源車汽車以及能源行業(yè),。
碳化硅涂層,，可提高器件的耐磨、耐高溫,、耐腐蝕性能，延長器件的使用壽命,。
為了分析評估器件樣品表面SiC涂層（X00 μm）的關(guān)鍵痕量元素的縱向分布情況（如下圖所示），使用Element GD Plus GD-MS的脈沖模式（Pulsed mode）,，對樣品表面濺射~60 mins，中分辨率下的基體信號強(qiáng)度（28Si）穩(wěn)定在~4.2E8cps,，濺射深度~15 μm（專業(yè)儀器測得）。
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