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簡要描述：化學氣相沉積為一種薄膜沉積方法,，其中將基材暴露于一種或多種揮發(fā)性氣體中，在基板表面上反應或分解以生成所需的薄膜沉積物。這種方法通常用于在真空環(huán)境中制造...

簡要描述：PECVD等離子沉積設備DEPOLAB 200根據(jù)其模塊化設計,，PECVD Depolab 200可升級為更大的真空泵組，低頻射頻源和更多的氣路,。

簡要描述：帶預真空室的化學氣相沉積設備SI 500 PPD的特色是預真空室和干泵裝置,，用于無油、高產(chǎn)量和潔凈的化學氣相沉積過程,。

簡要描述：等離子沉積設備SI 500 D低刻蝕速率,，高擊穿電壓，低應力,、不損傷襯底以及在低于100#176;C的沉積溫度下的低界面態(tài)密度,，使得所沉積的薄膜具有優(yōu)...

簡要描述：化學氣相沉積系統(tǒng)PECVD沉積設備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)進行SiO2、SiNx,、SiOxNy和a-Si的標準的化學氣相...

簡要描述：三到六個端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機,、RIE刻蝕機、原子層沉積系統(tǒng),、PECVD和ICPECVD沉積設備,，以滿足研發(fā)的要求。樣品可以通過預真...

簡要描述：SENTECH二維材料刻蝕沉積能夠在低溫100C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層,，在樣品表面提供高通量的反應性氣體,，而不受紫外線輻射或離子轟擊...

簡要描述：原子層沉積設備：真遠程等離子體源能夠在低溫100C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層，在樣品表面提供高通量的反應性氣體,，而不受紫外線輻射或離子轟...

簡要描述：PECVD等離子沉積設備Depolab 200是SENTECH基本的等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備,，它結(jié)合了用于均勻薄膜沉積的平行板電極設...

簡要描述：帶預真空室的化學氣相沉積設備PECVD沉積設備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)進行SiO2、SiNx,、SiOxNy和a-Si的標...

簡要描述：等離子沉積設備低刻蝕速率,，高擊穿電壓，低應力,、不損傷襯底以及在低于100#176;C的沉積溫度下的低界面態(tài)密度,，使得所沉積的薄膜具有優(yōu)異的性能。