工藝靈活性

PECVD沉積設備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)進行SiO2、SiNx,、SiOxNy和a-Si的標準的化學氣相沉積工藝,。

預真空室

帶預真空室的化學氣相沉積設備SI 500 PPD帶預真空室的化學氣相沉積設備SI 500 PPD的特色是預真空室和干泵裝置,，用于無油、高產(chǎn)量和潔凈的化學氣相沉積過程,。

SENTECH控制軟件

強大的用戶界面友好軟件包括模擬圖形用戶界面,，參數(shù)窗口，工藝處方編輯窗口,，數(shù)據(jù)記錄和用戶管理,。

SI 500 PPD代表了的等離子體增強化學氣相沉積設備，用于介質膜,、非晶硅,、碳化硅和其他材料的沉積。它基于平板電容耦合等離子體源,，預真空室,，溫控襯底電極，可選的低頻射頻源,、全自動控制的無油真空系統(tǒng),、的SENTECH控制軟件，采用遠程現(xiàn)場總線技術,，以及用戶友好的通用界面來操作SI 500 PPD,。

SI 500 PPD等離子沉積設備，可以加工從大到200毫米直徑的晶片到裝載在載片器上的零件,。單晶片預真空室保證穩(wěn)定的工藝條件,，并實現(xiàn)簡易切換的過程。

SI 500 PPD等離子增強沉積設備用于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)沉積SiO2,、SiNx,、SiONx和a-Si薄膜。通過液態(tài)或氣態(tài)前驅體,，SI 500 PPD可以為TEOS, SiC和其它材料的沉積提供解決方案,。SI 500 PPD特別適用于化學氣相沉積用于刻蝕掩膜，鈍化膜,，波導及其他的介質膜和非晶硅,。

SENTECH提供不同級別的自動化程度，從真空片盒載片到一個工藝腔室或至多六個工藝模塊端口,，可用于不同的蝕刻和沉積工藝模塊組成多腔系統(tǒng),，目標是高靈活性或高產(chǎn)量。SI 500 PPD也可用作多腔沉積系統(tǒng)中的一個工藝模塊,。