沉積系統(tǒng)介紹

高產(chǎn)量

等離子蝕刻和沉積腔體可以與多達兩個片盒站組合,，用于到200mm晶片的高產(chǎn)量工藝,。

研發(fā)

三到六個端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機、RIE刻蝕機,、原子層,、PECVD和ICPECVD沉積設備，以滿足研發(fā)的要求,。樣品可以通過預真空室和/或真空片盒站加載,。

包括等離子刻蝕和/或沉積腔體、傳送腔室,、預真空室或片盒站,。傳送腔室包括傳送機械手臂，可適用于三至六個端口,?？梢允褂枚噙_兩個片盒站來增加產(chǎn)量。傳送腔室可以配備多種選擇,。

用于研發(fā)的SENTECH多腔系統(tǒng)通過圖形用戶界面控制軟件操作,。強大的控制軟件可用于工業(yè)領域高產(chǎn)量的多腔系統(tǒng)。

CVD技術是建立在化學反應基礎上的,通常把反應物是氣態(tài)而生成物之一是固態(tài)的反應稱為CVD反應,，因此其化學反應體系必須滿足以下三個條件:在沉積溫度下,反應物必須有足夠高的蒸氣壓,。若反應物在室溫下全部為氣態(tài),則沉積裝置就比較簡單;若反應物在室溫下?lián)]發(fā)很小，則需要加熱使其揮發(fā),有時還需要用運載氣體將其帶人反應室,。

應生成物中,除了所需要的沉積物為固態(tài)之外,其余物質(zhì)都必須是氣態(tài),。

沉積薄膜的蒸氣壓應足夠低，以保證在沉積反應過程中,沉積的薄膜能夠牢固地附著在具有一定沉積溫度的基片上?；牧显诔练e溫度下的蒸氣壓也必須足夠低,。

熱CVD（ThermalCVD）：通過高溫加熱使反應物氣體分解或反應，成薄膜,。

利用等離子體來降低反應溫度,，提高沉積速率和薄膜質(zhì)量。

光輔助CVD（Photo-AssistedCVD,PACVD）：利用光能（通常是紫外光）促進化學反應,，常用于有機材料的沉積,。

激光CVD（LaserCVD,LCVD）：利用激光束引發(fā)或促進化學反應，能夠?qū)崿F(xiàn)局部精細沉積,。

金屬有機CVD（Metal-OrganicCVD,MOCVD）：使用金屬有機化合物作為反應物氣體,，廣泛用于半導體和光電子器件的制造。

液態(tài)源CVD（LiquidPhaseCVD,LPCVD）：使用液態(tài)化合物作為反應物,，通常需要先將液態(tài)化合物氣化,。

沉積系統(tǒng)介紹

高產(chǎn)量

等離子蝕刻和沉積腔體可以與多達兩個片盒站組合，用于到200mm晶片的高產(chǎn)量工藝,。

研發(fā)

三到六個端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機,、RIE刻蝕機、原子層,、PECVD和ICPECVD沉積設備,，以滿足研發(fā)的要求。樣品可以通過預真空室和/或真空片盒站加載,。

包括等離子刻蝕和/或沉積腔體,、傳送腔室、預真空室或片盒站,。傳送腔室包括傳送機械手臂,，可適用于三至六個端口,?？梢允褂枚噙_兩個片盒站來增加產(chǎn)量。傳送腔室可以配備多種選擇,。

用于研發(fā)的SENTECH多腔系統(tǒng)通過圖形用戶界面控制軟件操作,。強大的控制軟件可用于工業(yè)領域高產(chǎn)量的多腔系統(tǒng)。

CVD技術是建立在化學反應基礎上的,通常把反應物是氣態(tài)而生成物之一是固態(tài)的反應稱為CVD反應,，因此其化學反應體系必須滿足以下三個條件:

在沉積溫度下,反應物必須有足夠高的蒸氣壓,。若反應物在室溫下全部為氣態(tài),則沉積裝置就比較簡單;若反應物在室溫下?lián)]發(fā)很小，則需要加熱使其揮發(fā),有時還需要用運載氣體將其帶人反應室,。

反應生成物中,除了所需要的沉積物為固態(tài)之外,其余物質(zhì)都必須是氣態(tài),。

沉積薄膜的蒸氣壓應足夠低，以保證在沉積反應過程中,沉積的薄膜能夠牢固地附著在具有一定沉積溫度的基片上?；牧显诔练e溫度下的蒸氣壓也必須足夠低,。

熱CVD（ThermalCVD）：通過高溫加熱使反應物氣體分解或反應，形成薄膜,。

利用等離子體來降低反應溫度,，提高沉積速率和薄膜質(zhì)量。

光輔助CVD（Photo-AssistedCVD,PACVD）：利用光能（通常是紫外光）促進化學反應,，常用于有機材料的沉積,。

激光CVD（LaserCVD,LCVD）：利用激光束引發(fā)或促進化學反應，能夠?qū)崿F(xiàn)局部精細沉積,。

金屬有機CVD（Metal-OrganicCVD,MOCVD）：使用金屬有機化合物作為反應物氣體,，廣泛用于半導體和光電子器件的制造。氣態(tài)源CVD（VaporPhaseCVD,VPCVD）：使用氣態(tài)化合物作為反應物,。液態(tài)源CVD（LiquidPhaseCVD,LPCVD）：使用液態(tài)化合物作為反應物,，通常需要先將液態(tài)化合物氣化。