1. 產(chǎn)品概述:
THEORIS X302主要用于12英寸600℃-1200℃氧化及退火工藝,。該機臺為立式單腔爐管系統(tǒng),,工藝處理過程實現(xiàn)了高度自動化。系統(tǒng)主要由傳輸模塊,、工藝模塊,、電源柜等部分組成。
2. 設(shè)備應(yīng)用:
晶圓尺寸
12英寸
適用材料
硅
適用工藝
高溫干/濕氧氧化,、DCE氧化,、摻氮氧化、高溫退火
適用領(lǐng)域
先進集成電路,、功率半導(dǎo)體,、襯底材料
3. 特色參數(shù):
濕氧氧化工藝是在氧氣中加入水汽來進行氧化反應(yīng)。北方華創(chuàng) THEORIS X302 氧化爐設(shè)備在濕氧氧化工藝中表現(xiàn)出色,。它能夠精確控制水汽的含量和輸入方式,以實現(xiàn)對氧化膜生長速率和質(zhì)量的精準(zhǔn)調(diào)控,。在溫度控制上,,同樣具備高精度的特點,確保在濕氧環(huán)境下硅片受熱均勻,,從而形成均勻,、致密的氧化膜。氣體流量的調(diào)節(jié)也非常精準(zhǔn),能夠根據(jù)工藝需求靈活調(diào)整氧氣和水汽的比例,,滿足不同產(chǎn)品對濕氧氧化工藝的特殊要求,。其優(yōu)秀的工藝穩(wěn)定性和重復(fù)性,使得濕氧氧化工藝的結(jié)果可預(yù)測且可靠,。
4.設(shè)備特點
先進的顆??刂萍夹g(shù)
先進的金屬污染控制技術(shù)
高精度溫度場控制技術(shù)
支持快速升/降溫度技術(shù)
高產(chǎn)能