1 產(chǎn)品概述：

   快速退火爐，又稱RTP（Rapid Thermal Processing）快速熱處理爐,，是一種用于快速熱處理、熱氧化處理,、高溫退火等工藝的設(shè)備,。它利用鹵素紅外燈等高效熱源，通過極快的升溫速率（可達(dá)150攝氏度/秒）和精確的溫控系統(tǒng),，將晶圓或材料快速加熱到所需溫度（最高可達(dá)1200攝氏度）,，并在短時(shí)間內(nèi)完成退火過程，從而消除材料內(nèi)部缺陷,，改善產(chǎn)品性能,。快速退火爐廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、LED,、MEMS,、化合物半導(dǎo)體和功率器件等多種芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)中，是現(xiàn)代微電子制造領(lǐng)域重要設(shè)備,。

2 設(shè)備用途：

1,、快速熱處理（RTP）：用于對(duì)晶圓或材料進(jìn)行快速加熱和冷卻處理，以改善晶體結(jié)構(gòu)和光電性能,。

2,、快速退火（RTA）：通過快速升溫和降溫過程，消除材料內(nèi)部的應(yīng)力,、缺陷和雜質(zhì),，提高材料的性能。

3 ,、熱氧化處理（RTO）：在特定氣氛下對(duì)材料進(jìn)行加熱處理,，形成所需的氧化物層。

4,、離子注入/接觸退火：在離子注入后對(duì)材料進(jìn)行退火處理,，以激活注入的離子并改善材料的電學(xué)性能。

5,、 金屬合金化：如SiAu,、SiAl、SiMo等合金的制備過程中,，通過快速退火促進(jìn)合金化反應(yīng),。

6、 化合物合金制備：如砷化鎵,、氮化物等化合物的合金制備過程中,，快速退火爐也發(fā)揮著重要作用生,。同時(shí)，加熱還可以促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)的進(jìn)行,，提高處理效果,。

3. 設(shè)備特點(diǎn)

1 高效加熱與快速升降溫：采用鹵素紅外燈等高效熱源，升溫速率快,，最高可達(dá)150攝氏度/秒,；降溫速率也快，如從1000攝氏度降到300攝氏度僅需幾分鐘,。

2 高精度溫控系統(tǒng)：采用先進(jìn)的微電腦控制系統(tǒng)和PID閉環(huán)控制溫度,，控溫精度可達(dá)±0.5攝氏度，溫控均勻性≤0.5%設(shè)定溫度,。

3 多功能性與靈活性：可根據(jù)用戶工藝需求配置真空腔體,、多路氣體等，滿足不同工藝條件的需求,。

4 低污染與環(huán)保：試樣反應(yīng)區(qū)處在一個(gè)密閉的石英腔體內(nèi),，大大降低了間接污染試樣的可能性；同時(shí),，設(shè)備在設(shè)計(jì)和制造過程中注重環(huán)保理念,，減少了對(duì)環(huán)境的污染。

5 操作簡便與自動(dòng)化：配備可視化觸摸屏和智能控制系統(tǒng),，設(shè)定數(shù)據(jù)和操作都是圖文界面,，操作方便；同時(shí),，可實(shí)現(xiàn)單臺(tái)或多臺(tái)電爐的遠(yuǎn)程控制,、實(shí)時(shí)追蹤、歷史記錄,、輸出報(bào)表等功能,。4  設(shè)備參數(shù)：

4 技術(shù)規(guī)格

• 適用于直徑達(dá) 200 毫米（8 英寸）的單個(gè)晶圓 • 集成氣體入口和出口
• 高溫度：1000 °C
• 升溫速率：高達(dá) 50 K/（可選：100 K/）
• 通過熱電偶控制溫度，無石英室,、鋁室（可選配石英室）
• 尺寸：約 578 mm x 496 mm x 570 mm（寬 x 深 x 高）
• 重量： 約 70 公斤
部件支架• 石英托盤,，固定集成在門中

• 用于直徑為 200 mm 的單晶圓和石墨基座的石英支架

加熱

• 由 2 x 12 個(gè)紅外燈加熱（紅外加熱器的標(biāo)稱電壓/功率：230 V/2 kW）
• 頂部和底部加熱（可選）
真空

• 壓力刻度 10exp-3 hPa 或 RTP-200-HV 10exp-6 hPa

過程控制
• SPS 過程控制器,，帶 50 個(gè)程序,，每個(gè)程序多 50 個(gè)步驟（以太網(wǎng)接口），SIMATIC
• 觸摸面板上可存儲(chǔ) 50 個(gè)程序,，每個(gè)程序多 50 個(gè)步驟 • USB 2.0 接口,，用于存儲(chǔ)過程數(shù)據(jù)（CSV 文件格式）
• 包括 7 英寸觸摸屏，操作直觀舒適