1. 產(chǎn)品概述

SENTECH SIPAR ICP沉積系統(tǒng)是為使用靈活的系統(tǒng)架構的各種沉積模式和工藝開發(fā)和設計的,。該工具包括 ICP 等離子體源 PTSA,、一個動態(tài)溫控基板電和一個受控的真空系統(tǒng)。該系統(tǒng)將等離子體增強化學氣相沉積 （PECVD） 和原子層沉積 （ALD） 結合在一個反應器中,。

2. 主要功能與優(yōu)勢

SENTECH SIPAR ICP 沉積系統(tǒng)將原子層沉積 （ALD） 和電感耦合等離子體增強真空沉積 （ICPECVD） 技術結合在一個反應室中以順序沉積方法進行,。用戶可以利用這兩種工藝的優(yōu)勢來實現(xiàn)精確、保形和高質(zhì)量的多層膜,，同時對膜厚、均勻性,、選擇性和沉積速率有出色的控制,。這在先進的有機電子學、微電子學,、納米技術和半導體器件研究中尤為重要,。

3. 靈活的系統(tǒng)架構

該系統(tǒng)采用靈活的系統(tǒng)架構，為各種沉積模式和工藝而設計和開發(fā),。由均勻和保形沉積的原子層沉積的原子層沉積層和快速生長的 ICPECVD 薄膜組成的混合多層膜在有機器件技術,、納米技術以及半導體研究和工業(yè)中具有優(yōu)勢。

4. 高性價比

SENTECH SIPAR ICP的高效多層沉積能力和小尺寸使其具有很高的成本效益和多功能性,。它非常適合用于有機設備技術,、納米技術和半導體研究的研發(fā)和學術機構。

5. 靈活性和模塊化

SENTECH SIPAR ICP 沉積系統(tǒng)允許使用 ALD 和電感耦合等離子體增強化學氣相沉積 （ICPECVD） 進行順序沉積,，而無需在不同反應室之間轉(zhuǎn)移底物,。

由均勻和保形沉積的原子層沉積物原子層沉積層和快速生長的 ICPECVD 薄膜組成的混合多層膜在有機器件技術、納米技術和半導體研究中具有優(yōu)勢,。SENTECH SIPAR ICP沉積系統(tǒng)為生產(chǎn),、研發(fā)和大學使用提供了高效的多層沉積。更低的價格,、更高的吞吐量和更小的占地面積使 SENTECH SIPAR ICP 沉積系統(tǒng)比集群解決方案更具優(yōu)勢,。