高真空基礎In-line Sputter設備，其核心優(yōu)勢如下：
高生產率：
該設備的一個完整生產周期僅需220~360秒,，具體時間可能因產品而異,。
工藝優(yōu)化與品質提升：
我們對Sputter工藝進行了全面優(yōu)化,，從而顯著提升了產品的品質。
引入了Plasma Clean Sputter Plasma Cleaning工藝,，有效增強了產品表面的附著力,，進一步提升了產品品質。
精密儀器與設備耐用性：
設備采用了精密的儀器安裝工藝,，確保了設備的穩(wěn)定運行,。
設備具有出色的耐用性，維護周期長,，且維護費用低廉,。
自主研發(fā)材料：
我們采用了自主研發(fā)的材料，相比其他公司的材料,，我們的材料價格更為低廉,。
使用自主研發(fā)的材料，我們成功提升了產品的品質,，同時提高了生產效率,，并優(yōu)化了Arching等控制功能。
綜上所述,，這款高真空基礎In-line Sputter設備以其高生產率,、優(yōu)化的工藝,、精密的儀器安裝、出色的設備耐用性,、低廉的維護費用以及自主研發(fā)的高品質材料,，為相關行業(yè)提供了顯著的優(yōu)勢和價值。
| Chamber & Door | ∮800 * 1500, 2 Door, STS(SUS)304 |
| Pumping System | * RP + MBP + D/P * Cryo cooled polycold unit |
| Cooling Devices | * Cooling Traps for Pumping Unit * Cooling Chiller for Cathode |
| Power Supply | * DC Power (Sn, AL, NI, SUS, Sputter) * Cooling Chiller for Cathode |
| Control Unit | PLC, Touch Screen |
| Cycle Time | 4.5~6.5min (根據產品可能有所不同) |
化工儀器網