1. 產(chǎn)品概述

MARS iCE115 碳化硅外延系統(tǒng)，薄膜和厚膜外延兼容,，工藝穩(wěn)定性高,。

2. 設(shè)備用途/原理

MARS iCE115 碳化硅外延系統(tǒng)，薄膜和厚膜外延兼容,，工藝穩(wěn)定性高,，具備多層外延能力，氣流場(chǎng)和加熱場(chǎng)設(shè)計(jì),，工藝性能優(yōu)異,，可靠的壓力控制系統(tǒng)，成膜質(zhì)量均一性好,。

3. 設(shè)備特點(diǎn)

晶圓尺寸 4、6 英寸,，適用材料 碳化硅 SiC,，適用工藝 N&P 碳化硅外延，適用域 科研,、化合物半導(dǎo)體,。?碳化硅外延系統(tǒng)的工作原理主要依賴于化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)。?這一技術(shù)通過載氣將反應(yīng)氣體輸送到反應(yīng)室內(nèi),，在一定的溫度和壓力條件下,，反應(yīng)氣體分解并發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成中間化合物擴(kuò)散到碳化硅襯底表面,，從而生長(zhǎng)出外延層,。這種外延生長(zhǎng)技術(shù)能夠有效地控制摻雜濃度和薄膜厚度，以滿足設(shè)計(jì)要求,，同時(shí)減少襯底中的缺陷,，提高器件良率。反應(yīng)室內(nèi)的氣流場(chǎng)和溫度場(chǎng)對(duì)碳化硅外延生長(zhǎng)至關(guān)重要,，因?yàn)樗鼈冎苯佑绊懲庋訉拥馁|(zhì)量和均勻性,。