德國韋氏納米系統(tǒng)有限公司

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EFC265-刻蝕殘留物去除劑

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更新時(shí)間：2025-05-15 21:00:07

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KLA/科磊: 方塊電阻測(cè)量?jī)x 薄膜厚度測(cè)量?jī)x 表面缺陷檢測(cè)系統(tǒng) 納米壓痕儀光學(xué)輪廓儀探針式輪廓儀

薄膜測(cè)量系統(tǒng): 接觸角測(cè)量系統(tǒng) 光譜反射儀橢偏儀薄膜應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)

微組裝系統(tǒng): WB-200 半自動(dòng)引線鍵合機(jī)

Deposition沉積系統(tǒng): AT-400原子層沉積

Megasonic Clean /兆聲清洗系統(tǒng): 批量型兆聲清洗系統(tǒng)

測(cè)量?jī)x器: 聲表面波SAW功率發(fā)生器

Hall Effect: HMS-3300霍爾效應(yīng)測(cè)試儀 HMS-3000霍爾效應(yīng)測(cè)試儀

Etching/等離子蝕刻系統(tǒng): 等離子刻蝕ICP

Thin Film薄膜沉積系統(tǒng): 高密度化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) PECVD沉積

美國杜邦Dupont: 光刻膠蝕刻殘留物清洗劑 Post-CMP Cleans 光刻膠蝕刻殘留物清洗劑 Post-Etch Cleans 光刻膠蝕刻殘留物清洗劑 LED, TSV, & WLP Cleans 光刻膠蝕刻殘留物清洗劑 Post-Patterning Cleans 光刻膠蝕刻殘留物清洗劑Emerging Cleans

Ethcing/等離子蝕刻系統(tǒng): 等離子刻蝕ICP

Probe station/探針臺(tái): 磁體探針臺(tái) 低溫探針臺(tái)

Reflow Oven /回流焊: 高真空MEMS焊封機(jī)

紫外掩膜對(duì)準(zhǔn)曝光系統(tǒng): 紫外掩膜對(duì)準(zhǔn)曝光系統(tǒng) 紫外掩膜曝光機(jī)

快速退火爐: 快速退火爐

生命科學(xué): 人體運(yùn)動(dòng)能耗監(jiān)測(cè)儀

PIE scientific: Semi-KLEEN Sapphire 等離子清洗機(jī) SEMI-KLEEN UHV等離子體清洗機(jī) Semi-KLEEN Quartz石英等離子體清洗機(jī) EM-KLEEN等離子體清洗機(jī) Tergeo-EM TEM/SEM 等離子體清洗機(jī) Tergeo-Pro桌面等離子清洗機(jī) Tergeo-Plus桌面等離子清洗機(jī) Tergeo桌面等離子清洗機(jī) 離子源氣體混配器多用途樣品清潔及儲(chǔ)存腔室 TEM 樣品架真空泵站

JFP microtechnic: 檢測(cè)相機(jī) 返工工作站激光疊片機(jī) / 拆片機(jī) 劃刻器 MPT手動(dòng)拉力測(cè)試儀焊線機(jī) 芯片鍵合機(jī)

OAI: 集成式 IV 光伏測(cè)試系統(tǒng) AML 原位對(duì)準(zhǔn)晶圓鍵合機(jī) AAA 標(biāo)準(zhǔn)太陽模擬器 Model 6020 全自動(dòng)掩模曝光機(jī) Model 6000 生產(chǎn)型掩膜曝光機(jī) Model 2000 邊緣去膠紫外泛光曝光機(jī) Model 800E 紫外掩膜曝光機(jī) Model 212 紫外掩膜曝光機(jī) Model 200 紫外掩膜曝光機(jī)

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杜邦™plasmasolv®ekc265™蝕刻后殘留物去除

杜邦™plasmasolv®ekc265™蝕刻后殘留物去除

應(yīng)用：

應(yīng)用EKC265™蝕刻后殘留物器廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體行業(yè),，以滿足關(guān)鍵的清潔需求

從高深寬比MEMS器件100μm+ 到*進(jìn)DRAM 的70nm集成的各個(gè)階段

下面列出了常見的應(yīng)用程序：

接觸清潔
金屬線清潔
TSV深硅穿孔清潔
鎢埋位線清洗
聚酰亞胺清洗
Pad清潔
MEMS清洗

特征：

所有蝕刻后鋁清洗的單一解決方案
清洗接觸，金屬，穿孔和Pad
高度選擇性的殘留物去除
去除重有機(jī)殘留物
寬工藝窗口
高產(chǎn)率
穿孔接觸電阻降低
鋁清洗行業(yè)基準(zhǔn)

應(yīng)用：

應(yīng)用EKC265™蝕刻后殘留物器廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體行業(yè),，以滿足關(guān)鍵的清潔需求

從高深寬比MEMS器件100μm+ 到*進(jìn)DRAM 的70nm集成的各個(gè)階段

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接觸清潔
金屬線清潔
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鎢埋位線清洗
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