Minilock-Phantom III具有預真空室的反應離子刻蝕機
可適用于單個基片或帶承片盤的基片(3"- 300mm尺寸),為實驗室和試制線生產(chǎn)環(huán)境提供xianjin的刻蝕能力。它也具有多尺寸批處理功能(4x3"; 3x4"; 7x2"),。
產(chǎn)品簡介
詳細介紹
系統(tǒng)有多達七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜,,如氧化硅、氮化硅,、多晶硅,、鋁、砷化鎵,、鉻,、銅、磷化銦和鈦,。該反應室還可以用于去除光刻膠和有機材料,。可選配靜電吸盤(E-chuck),,以便更有效地在刻蝕工藝中讓基片保持冷卻,。該E-chuck使用氦壓力控制器,及在基片背面保持一個氦冷卻層,,從而達到控制基片溫度的作用,。
該設備可選配一個電感耦合等離子(ICP)源,其使得用戶可以創(chuàng)建高密度等離子,,從而提高刻蝕速率和各向異性等刻蝕性能,。
基片通過預真空室裝入。其避免與工藝室以及任意殘余刻蝕副產(chǎn)品接觸,,從而提高了用戶安全性,。預真空室還使得工藝室始終保持在真空下,從而隔絕外部濕氣,,防止反應室內(nèi)可能發(fā)生的腐蝕,。