AT-400原子層沉積是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替的通入反應(yīng)器,，化學(xué)吸附在沉積襯底上并反應(yīng)形成沉積膜的一種方法,，是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式逐層的鍍在襯底表面的方法,。因此，AT-400原子層沉積是一種真正的“納米”技術(shù),，以精確控制方式實(shí)現(xiàn)納米級的超薄薄膜沉積,。由于ALD利用的是飽和化學(xué)吸附的特性，因此可以確保對大面積,、多空,、管狀、粉末或其他復(fù)雜形狀基體的高保形的均勻沉積,。
主要規(guī)格及技術(shù)指標(biāo)：
1. 具有4路前驅(qū)體源,。
2. 樣品基底zui大直徑4英寸,。
3. zui大沉積溫度不高于300℃。
4. 使用氮?dú)庾鲚d氣,，控制載氣流量10-1000 SCCM,。
系統(tǒng)主要用于實(shí)驗(yàn)室級的薄膜制備，特別是致力于有機(jī)發(fā)光顯示（OLED）的封裝和場效應(yīng)晶體管（FET）的介質(zhì)層的層積,。
技術(shù)具有結(jié)合強(qiáng)度好、逐層沉積,、膜層厚度*,、成分均勻性好等許多優(yōu)點(diǎn),是一種*進(jìn)的納米表面處理技術(shù),具有廣闊的應(yīng)用前景。但是,作為一項(xiàng)涉及多學(xué)科領(lǐng)域的新技術(shù),有許多因素會影響沉積膜層的質(zhì)量和生產(chǎn)效率,如前驅(qū)體材料,、形核長大機(jī)制,、薄膜結(jié)構(gòu)、沉積速率,、設(shè)備條件等等,其中,前驅(qū)體是工藝的基礎(chǔ),。
是一種*進(jìn)的薄膜沉積技術(shù)。利用ald的技術(shù)特點(diǎn)和優(yōu)勢,，可設(shè)計(jì)合成新型高效納米催化劑,，并可精確地調(diào)控催化劑的表界面結(jié)構(gòu)。利用ald技術(shù)設(shè)計(jì)制備出一種多重限域的ni基加氫催化劑,。與未限域的催化劑相比,，多重限域的ni基催化劑對于肉桂醛以及硝基苯的加氫催化反應(yīng)的活性、穩(wěn)定性得到顯著的提高,。
