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產(chǎn)品簡介
NPE-4000（M） PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12“ 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，具有分形氣流分布優(yōu)勢.樣品臺通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓,?？芍С旨訜岷屠鋮s.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，真空可低至10-7 torr,。標準配置含1路惰性氣體,、3路活性氣體和4個MFC。
詳細介紹
PECVD沉積技術
NPE-4000（M） PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)概述：NANO-MASTER PECVD系統(tǒng)能夠沉積高質量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到zui大可達12" 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子,，具有分形氣流分布的優(yōu)勢.樣品臺可以通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓,。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，腔體可以達到低至10-7 torr的真空,。標準配置包含1路惰性氣體,、3路活性氣體管路和4個MFC.帶有*氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求，無論是等離子強度,、均勻度,，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統(tǒng)可以覆蓋zui廣的可能性來獲得各種沉積參數(shù),。
NPE-4000（M） PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)應用：
- 等離子誘導表面改性：就是通常所說的用等離子實現(xiàn)表面改性(如親水性,、疏水性等)
- 等離子清洗：去除有機污染物
- 等離子聚合：對材料表面產(chǎn)生聚合反應
- 沉積二氧化硅、氮化硅,、DLC(類金剛石),，以及其它薄膜
- CNT(碳納米管)和石墨烯的選擇性生長：在需要的位置生長CNT或石墨烯。
特點：
- 獨立型立式系統(tǒng)
- 不銹鋼或鋁制腔體
- 極限真空可達10-7Torr
- RF淋浴頭,，HCD或微波等離子源
- 高達12"(300mm)直徑的樣品臺
- RF射頻偏壓樣品臺
- 水冷樣品臺
- 可加熱到的800 °C樣品臺
- 加熱的氣體管路
- 加熱的液體傳送單元
- 抗腐蝕的渦輪分子泵組
- 1路載體氣體以及3路反應氣體,，帶MFC
- 基于LabView軟件的PC計算機全自動控制
- 菜單驅動，4級密碼訪問保護
- 完整的安全聯(lián)鎖