產(chǎn)品簡介
詳細介紹
原子層沉積技術
NLD-3000原子層沉積系統(tǒng)概述:原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術,具有廣泛的應用,。ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積,,這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響,,所以在ALD原子層沉積中有序,、自限制的表面反應將會帶來非統(tǒng)計的沉積,。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑,、連續(xù)以及無孔的特性,可以提供的薄膜性能,。ALD原子層工藝也可以實現(xiàn)到大基片上,。
NLD-3000原子層沉積系統(tǒng)特點:NLD-3000是一款獨立的PC計算機控制的ALD原子層沉積系統(tǒng),帶Labview軟件,,具備四級密碼控制的用戶*保護功能,。系統(tǒng)為全自動的安全互鎖設計,并提供了強大的靈活性,,可以用于沉積多種薄膜(如:AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等),。應用領域包含半導體、光伏、MEMS等,。NLD-3000系統(tǒng)提供12"的鋁質(zhì)反應腔體,,帶有加熱腔壁和氣動升降頂蓋,非常方便腔體的訪問和清潔,。該系統(tǒng)擁有一個載氣艙包含多達7個50ml的加熱汽缸,,用于前驅體以及反應物,同時帶有N2或者Ar作為運載氣體的快脈沖加熱傳輸閥,。
選配:NLD-3000系統(tǒng)的選配項包含自動L/UL上下載(用于6"基片),,ICP離子源(用于等離子增強的PEALD),臭氧發(fā)生器,,等等,。
應用:
- Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3,etc
- Nitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..
- Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS應用.
- Nano laminates納米復合材料