您好, 歡迎來到化工儀器網(wǎng)
產(chǎn)品簡介
詳細介紹
兆聲清洗技術(shù)
SWC-4000兆聲晶圓清洗機概述：
技術(shù)的兆聲和清洗技術(shù)的發(fā)展,，對MEMS和半導(dǎo)體等領(lǐng)域的晶圓和掩模版清洗提供了的水平,，可以幫助用戶獲得zui干凈的晶圓片和掩模版。
NANO-MASTER提供兆聲單晶圓&掩模清洗(SWC)系統(tǒng),，用于*進的無損兆聲清洗,?？梢赃m用于易受損的帶圖案或無圖案的基片，包含帶保護膜的掩模版,。為了在確保不損傷基片的情況下達到*化的清洗效果,，兆聲能量的密度必須保持在稍稍低于樣片上任意位置上的損傷閾值。NANO-MASTER的技術(shù)確保了聲波能量均勻分布到整個基片表面,，通過分布能量的zui大化支持的清洗,，同時保證在樣片的損傷閾值范圍內(nèi)。
SWC系統(tǒng)提供了可控的化學(xué)試劑滴膠能力,，這使得顆粒從基片表面的去除能力得以進一步加強,。SWC和LSC具備對點試劑滴膠系統(tǒng)，可以zui大程度節(jié)省化學(xué)試劑的用量的,。滴膠系統(tǒng)支持可編程的化學(xué)試劑混合能力,，提供了可控的化學(xué)試劑在整個基片上的分布。
通過聯(lián)合使用化學(xué)試劑滴膠和NANO-MASTER的兆聲清洗技術(shù),，系統(tǒng)去除顆粒的能力得到進一步優(yōu)化,。顆粒從表面被釋放的能力也因此得到提升，從而被釋放的顆粒在幅流的DI水作用下被掃除出去,，而把回附的數(shù)量降到了zui低水平,。從基片表面被去除。如果沒有使用幅流DI水的優(yōu)勢,，*進的靜態(tài)可循環(huán)兆聲清洗槽會有更大數(shù)量的顆?；馗剑⑶乙虼诵枰嗟娜コ@些顆粒,。
此外,，NANO-MASTER的清洗機都還提供了一系列的選配功能。PVA軟毛刷提供了機械的方式去除無圖案基片上的污點和殘膠,。DI水臭氧化的選配項提供了有機物的去除,，而無須腐蝕性的化學(xué)試劑。我們的氫化DI水系統(tǒng)跟兆聲能量結(jié)合可以達到納米級的顆粒去除,。根據(jù)不同的應(yīng)用,，某些選配項將會進一步提高設(shè)備去除不想要的顆粒和殘留物的能力。
SWC系統(tǒng)能夠就地實現(xiàn)熱氮或異丙醇甩干,。“干進干出" 一步工藝可以在我們的系統(tǒng)中以zui低的投資和購置成本來實現(xiàn),。NANO-MASTER清洗機的工藝處理時間可以在3-5分鐘內(nèi)完成，具體是3分鐘還是5分鐘取決于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情況,。
NANO-MASTER的技術(shù)也適用于清洗背部以及帶保護膜掩模版前面的對準標記,，降低這些掩模版的不必要去除和重做保護膜的幾率。它也可以用于去除薄膜膠黏劑的黏附性并準備表面以便再次覆膜,。此外,，帶薄膜掩模版的全部正面的兆聲清洗以及旋轉(zhuǎn)甩干可以做到無損并且對薄膜無滲漏,。
SWC是一款帶有小占地面積的理想設(shè)備，并且很容易安裝在空間有限的超凈間中,。該系列設(shè)備都具有出眾的清洗能力,，并可用于非常廣泛的基片。
SWC-4000兆聲晶圓清洗機應(yīng)用：
- 帶圖案或不帶圖案的掩模版和晶圓片
- Ge, GaAs以及InP晶圓片清洗
- CMP處理后的晶圓片清洗
- 晶圓框架上的切粒芯片清洗
- 等離子刻蝕或光刻膠剝離后的清洗
- 帶保護膜的分劃版清洗
- 掩模版空白部位或接觸部位清洗
- X射線及極紫外掩模版清洗
- 光學(xué)鏡頭清洗
- ITO涂覆的顯示面板清洗
- 兆聲輔助的剝離工藝
的特點：
- 支持12"直徑的圓片或9"x9"方片
- 獨立系統(tǒng)
- 無損兆聲,試劑,，毛刷清洗及旋轉(zhuǎn)甩干
- 微處理機自動控制
- 化學(xué)試劑滴膠單元
- 溶劑與酸分離排廢
- 熱氮
- 30"D x 26"W 的占地面積
選配項：
- 掩模板或晶圓片夾具
- 臭氧清洗
- PVA軟毛刷清洗
- 高壓DI清洗
- 氮氣離子發(fā)生器