系統(tǒng)有多達(dá)七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜，如氧化硅,、氮化硅,、多晶硅、鋁,、砷化鎵,、鉻、銅,、磷化銦和鈦,。該反應(yīng)室還可以用于去除光刻膠和有機(jī)材料?？蛇x配靜電吸盤(E-chuck),，以便更有效地在刻蝕工藝中讓基片保持冷卻。該E-chuck使用氦壓力控制器,，及在基片背面保持一個(gè)氦冷卻層,，從而達(dá)到控制基片溫度的作用。
該設(shè)備可選配一個(gè)電感耦合等離子(ICP)源,，其使得用戶可以創(chuàng)建高密度等離子,，從而提高刻蝕速率和各向異性等刻蝕性能。
基片通過(guò)預(yù)真空室裝入,。其避免與工藝室以及任意殘余刻蝕副產(chǎn)品接觸,，從而提高了用戶安全性。預(yù)真空室還使得工藝室始終保持在真空下,，從而隔絕外部濕氣,，防止反應(yīng)室內(nèi)可能發(fā)生的腐蝕,。