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當前位置:德國韋氏納米系統(tǒng)(香港)有限公司>>Deposition沉積系統(tǒng)>>AT-400原子層沉積>> AT-410原子層沉積系統(tǒng)
產(chǎn)品型號AT-410
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地國外
更新時間:2024-06-17 16:34:26瀏覽次數(shù):1961次
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AT-400原子層沉積系統(tǒng)技術(shù)參數(shù):
基片尺寸:4英寸,;
加熱溫度:25℃~350℃;
溫度均勻性:±1℃,;
前體溫度范圍:從室溫至150℃,,±2℃;可選擇加熱套,;
前驅(qū)體數(shù):一次同時可處理多達 5 個 ALD 前體源,;
PLC 控制系統(tǒng):7英寸16 位彩色觸摸屏控制;
模擬壓力控制器:用于快速壓力檢測和脈沖監(jiān)測
樣品上載:將樣品夾具從邊上拉出即可,;
壓力控制裝置:壓力控制范圍從0.1~1.5Torr
兩個氧化劑/還原劑源,,如水,,氧氣或氨氣;
在樣品上沒有大氣污染物,,因為在沉積區(qū)的附近或上游處無 Elestamor O 型圈出現(xiàn);
氧化鋁催化劑處理能力:6-10 次/分鐘或高達 1.2 納米/ 分鐘
高縱橫比沉積,,具有良好的共形性
曝光控制,用于在 3D 結(jié)構(gòu)上實現(xiàn)所需的共形性,;
預(yù)置有經(jīng)驗證過的 3D 和 2D 沉積的優(yōu)化配方,;
簡單便捷的系統(tǒng)維護及安全聯(lián)鎖;
目前市面上占地小,,可兼容各類潔凈室要求的系統(tǒng),;
可以為非標準樣品而訂制的夾具,如 SEM / TEM 短截線
原子層沉積ALD的應(yīng)用包括:
1) High-K介電材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3),;
2)導(dǎo)電門電極 (Ir, Pt, Ru, TiN),;
3)金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu) (Cu, WN, TaN,Ru, Ir);
4)催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5),;
5)納米結(jié)構(gòu) (All ALD Material),;
6)生物醫(yī)學(xué)涂層 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN);
7) ALD金屬 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni),;
8)壓電層 (ZnO, AlN, ZnS),;
9)透明電學(xué)導(dǎo)體 (ZnO:Al, ITO);
10)紫外阻擋層 (ZnO, TiO2);
11) OLED鈍化層 (Al2O3);
12)光子晶體 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);
13)防反射濾光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5);
14)電致發(fā)光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);
15)工藝層如蝕刻柵欄,、離子擴散柵欄等 (Al2O3, ZrO2);
16)光學(xué)應(yīng)用如太陽能電池,、激光器、光學(xué)涂層,、納米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO);
17)傳感器 (SnO2, Ta2O5);
18)磨損潤滑劑,、腐蝕阻擋層 (Al2O3, ZrO2, WS2);
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