DRIE深反應離子刻蝕

NDR-4000（A）全自動DRIE深反應離子刻蝕概述：全自動上下載片,，帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺的深硅刻蝕系統(tǒng)，帶8" ICP源,。系統(tǒng)可以配套500L/S抽速的渦輪分子泵,，可以使得工藝壓力達到幾mTorr的水平。在低溫刻蝕的技術下,，系統(tǒng)可以達到硅片的高深寬比刻蝕,。

NDR-4000（A）全自動DRIE深反應離子刻蝕主要特點：

• 基于PC控制的緊湊型立柜式百級DRIE深硅刻蝕系統(tǒng)，擁有高縱橫比的刻蝕能力,；
• 配套Lab View軟件,，菜單驅動，自動記錄數據,；
• 觸摸屏監(jiān)控,；
• 全自動系統(tǒng)，帶安全聯(lián)鎖,；
• 四級權限,，帶密碼保護；
• 自動上下載片,；
• 帶Load Lock預真空鎖,；
• He氣背面冷卻，-60攝氏度的低溫樣品夾具,；
• 高達-1000V的外部偏壓,；
• 渦輪分子泵 + 渦旋干泵；
• 可以支持DRIE和RIE兩種刻蝕模式,；
• 實時顯示真空,、功率、反射功率圖表,，以及流量實時顯示,；

配置內容：

• 外觀尺寸：緊湊型立柜式設計，不銹鋼腔體,，外觀尺寸為28"(W) x 42"(L) x64"(H),；
• 等離子源：NM ICP平面等離子源，帶淋浴頭氣體分布系統(tǒng),。等離子源安裝在腔體頂部,，通過ISO250的法蘭連接；
• 處理腔體：13"圓柱形鋁質腔體,，自動上下載片,，zui大支持6"（可以升級腔體支持更大基片）。腔體帶有2"的觀察窗口。腔體頂部的噴嘴式氣流分配裝置,，提供8"區(qū)域的氣體均勻分布,。系統(tǒng)帶暗區(qū)保護。
• 樣品臺：6"的托盤夾具,，能夠支持6"的Wafer,。可以冷卻到-120攝氏度（包含LN2循環(huán)水冷系統(tǒng)）,，并采用He氣實現背部冷卻和自動鎖緊,，微精細地控制He氣流量，包含氣動截止閥,；
• 流量控制：支持5個或更多的MFC’s 用于硅的深度刻蝕,，帶氣動截止閥，所有的慢/快通道采用電磁閥和氣動閥控制,，電拋光的不銹鋼氣體管路帶有VCR和VCO(壓控振蕩器)配件,，所有導管以盡可能短的導軌密封設計，從而減低空間浪費并達到快速的氣路切換,。所有處理氣體的管路在處理結束后,，采用N2自動沖洗。
• 真空系統(tǒng)：泵組包含渦輪分子泵和旋葉真空泵,。
• RF電源：13.56MHz,，帶自動調諧功能的1000W射頻電源，作為ICP源,。另外,，帶自動調諧功能的600W射頻電源用于基臺偏壓。
• 操作控制：整個系統(tǒng)通過預裝的Lab View軟件和觸摸監(jiān)控系統(tǒng),，實現PC全自動控制,。MFC,閥和頂蓋都是氣動式的，都可PC控制,。系統(tǒng)的實時壓力和直流自偏壓以圖表格式顯示,，而流量和功率則以字母數字形式顯示。系統(tǒng)提供密碼和安全連鎖機制的四級權限控制,。