ICP等離子刻蝕

NRE-4000（ICPM）ICP刻蝕系統(tǒng)概述：是帶ICP等離子源和偏壓樣品臺的高速刻蝕系統(tǒng),，系統(tǒng)可以達到高速率、低損傷,、高深寬比的刻蝕效果,?？蓪崿F(xiàn)范圍廣泛的刻蝕工藝,，包括刻蝕III-V化合物（如GaAs,，InP，GaN,，InSb）,、II-VI化合物、介質材料,、玻璃,、石英、金屬,，以及硅和硅的化合物（如SiO2,、Si3N4、SiC,、SiGe）等,。

NRE-4000（ICPM）ICP刻蝕系統(tǒng)主要特點：

• 基于PC控制的立柜式百級ICP-RIE刻蝕系統(tǒng)，擁有快速的刻蝕能力,；
• 配套Lab View軟件,，菜單驅動，自動記錄數(shù)據(jù),；
• 觸摸屏監(jiān)控,；
• 全自動系統(tǒng)，帶安全聯(lián)鎖,；
• 四級權限,，帶密碼保護；
• 手動上下載片,；
• 可以支持ICP和RIE兩種刻蝕模式,；
• 實時顯示真空、功率,、反射功率圖表,，以及流量實時顯示；

配置內容：

• 外觀尺寸：緊湊型立柜式設計,，不銹鋼腔體,，外觀尺寸為44"(W) x 26"(L) x62"(H)；
• 等離子源：NM-ICP平面電感耦合等離子體源,，帶有自動調諧器,，激活面積可以達到8"；
• 處理腔體：13"的圓柱形超凈腔體,，材質為陽極電鍍鋁,。晶片通過氣動頂蓋裝載,，腔體帶有上載安全鎖，用戶可以通過PC控制,，zui多可以裝載8個小尺寸基片,，zui大可支持的晶圓尺寸為8"。腔體帶有2"的觀察窗口,。腔體頂部的噴嘴式氣流分配裝置,，提供8"區(qū)域的氣體均勻分布。系統(tǒng)帶暗區(qū)保護,。
• 樣品臺：6"的托盤夾具,，能夠支持6"的Wafer?？梢岳鋮s到-120攝氏度（包含LN2循環(huán)水冷系統(tǒng)）,，并采用He氣實現(xiàn)背部冷卻和自動鎖緊，微精細地控制He氣流量,，包含氣動截止閥,；
• 流量控制：支持6個或更多的MFC’s 用于ICP高速刻蝕，帶氣動截止閥,，所有的慢/快通道采用電磁閥和氣動閥控制,，電拋光的不銹鋼氣體管路帶有VCR和VCO(壓控振蕩器)配件，所有導管以盡可能短的導軌密封設計,，從而減低空間浪費并達到快速的氣路切換,。所有處理氣體的管路在處理結束后，采用N2自動沖洗,。
• 真空系統(tǒng)：泵組包含渦輪分子泵和旋葉真空泵,。
• RF電源：13.56MHz，帶自動調諧功能的1200W射頻電源,，作為ICP源,。另外，帶自動調諧功能的600W射頻電源用于基臺偏壓,。
• 操作控制：整個系統(tǒng)通過預裝的Lab View軟件和觸摸監(jiān)控系統(tǒng),，實現(xiàn)PC全自動控制。MFC,閥和頂蓋都是氣動式的,，都可PC控制,。系統(tǒng)的實時壓力和直流自偏壓以圖表格式顯示，而流量和功率則以字母數(shù)字形式顯示,。系統(tǒng)提供密碼和安全連鎖機制的四級權限控制,。

應用領域：

• LED
• MEMS
• 光柵
• 激光器
• 微光學
• 聲光器件
• 高頻器件/功率器件
• 量子器件
• 光子晶體
• 探測器等