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AL76C立式微波等離子去膠清洗機：AL76C為一體式緊湊型等離子系統(tǒng),，適用于批量生產(chǎn),，也可以i滿足研發(fā)及實驗室應用。并且,，此系統(tǒng)可以滿足360度的芯片封裝需要...

AL76微波等離子去膠清洗機：AL76等離子系統(tǒng)適用于批量生產(chǎn),，也可以i滿足研發(fā)及實驗室應用。并且,，此系統(tǒng)可以滿足360度的芯片封裝需要,、工業(yè)、醫(yī)藥等領域,。AL...

AL18微波等離子去膠清洗機：AL18等離子系統(tǒng)適用于小批量生產(chǎn)和研發(fā)的*設備,。并且，此系統(tǒng)可以滿足360度的芯片封裝需要。AL18系統(tǒng)是一款創(chuàng)新型的通用設備,，...

NIE-3500（M）離子束清洗系統(tǒng)：是一款手動放片/取片,，但工藝過程為全自動計算機控制的緊湊型獨立的立柜式離子束刻蝕系統(tǒng)，可以用于表面清洗,、表面處理,、離子銑。

NIE-3500（A）全自動離子束清洗系統(tǒng)：是一款自動放片/取片,，并且工藝過程為全自動計算機控制的緊湊型獨立的立柜式離子束刻蝕系統(tǒng),，可以用于表面清洗、表面處理,、...

NIE-3000離子束清洗系統(tǒng)：是一款手動放片/取片,，但工藝過程為全自動計算機控制的臺式離子束刻蝕系統(tǒng)，可以用于表面清洗,、表面處理,、離子銑等。

NPD-4000（A）全自動PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)：脈沖激光束聚焦在固體靶的表面上,。固體表面大量吸收電磁輻射導致靶物質快速蒸發(fā)。蒸發(fā)的物質由容易逃出與電離的核素...

NPD-4000（M）PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)：脈沖激光束聚焦在固體靶的表面上,。固體表面大量吸收電磁輻射導致靶物質快速蒸發(fā),。蒸發(fā)的物質由容易逃出與電離的核素組成。...

NEE-4000（A）全自動電子束蒸發(fā)系統(tǒng)：NEE-4000電子束蒸發(fā)系統(tǒng)為雙腔配置,，樣品臺位于主腔體,，二級腔體則用于安置電子束源。兩腔體之間的門閥作為預真空鎖...

NEE-4000（M）電子束蒸發(fā)系統(tǒng)：NEE-4000電子束蒸發(fā)系統(tǒng)為雙腔體的配置,，樣品臺位于主腔體,，二級腔體則用于安置電子束源。兩個腔體之間的門閥可以作為預真...

NTE-4000（A）全自動熱蒸發(fā)系統(tǒng)：全自動立式熱蒸發(fā)系統(tǒng),，在有機物和金屬沉積方面具有廣泛的應用,。設備具有占地面積小、干凈,、均勻,、可控及可重復的工藝特點。具有...

NTE-4000（M）熱蒸發(fā)系統(tǒng)：NTE-4000是PC控制的立式熱蒸發(fā)系統(tǒng),，在有機物和金屬沉積方面具有廣泛的應用,。設備具有占地面積小、干凈,、均勻,、可控及可重復...

NTE-3500（A）全自動熱蒸發(fā)系統(tǒng)：全自動立式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機物和金屬沉積方面具有廣泛的應用。設備具有占地面積小,、干凈,、均勻、可控及可重復的工藝特點,。具有...

NTE-3500（M）熱蒸發(fā)系統(tǒng)：NTE-3500是PC控制的緊湊型立式熱蒸發(fā)系統(tǒng),，在有機物和金屬沉積方面具有廣泛的應用。設備具有占地面積小,、干凈,、均勻、可控及...

NTE-3000熱蒸發(fā)系統(tǒng)：NTE-3000是PC控制的臺式熱蒸發(fā)系統(tǒng),，在有機物和金屬沉積方面具有廣泛的應用,。設備具有占地面積小、干凈,、均勻,、可控及可重復的工藝...

NMC-4000（A）全自動PAMOCVD系統(tǒng)：針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有...

NMC-4000（M） MOCVD設備：NANO-MASTER針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD...

NMC-3000等離子輔助MOCVD系統(tǒng)：針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個鼓...

NLD-4000（ICPM）PEALD系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足準確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術,。由于前驅體...

NLD-4000（ICPA）全自動PEALD系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積,，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于...