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更新時(shí)間：2025-02-27 13:40:41瀏覽次數(shù)：4314評(píng)價(jià)
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超高真空磁控濺射鍍膜系統(tǒng)
超高真空磁控濺射鍍膜系統(tǒng)（UHV SPUTTER）
儀器介紹:
美國專業(yè)的制造商PVD公司是一家在磁控濺射沉積，電子束蒸發(fā)沉積,，脈沖激光沉積等領(lǐng)域有著20年制造經(jīng)驗(yàn),。
我司代理的PVD公司生產(chǎn)的磁控濺射系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)在最大300mm襯底上沉積金屬和電介質(zhì)薄膜。使用RF,、DC或脈沖DC電源的磁控濺射源可以單個(gè)模式或者聯(lián)合-沉積模式工作,，以便生產(chǎn)可以對滿足廣泛的薄膜要求。我司生產(chǎn)的鈦磁控濺射源的尺寸可從1 inch（25mmm)到8inch（200mm)任選 ,并搭配內(nèi)置傾斜裝置以滿足按照沉積工藝進(jìn)行的微調(diào),。襯底支架符合最大300mm直徑的晶片需求,，并可對晶片加熱至850°C及加載RF偏壓。磁控濺射系統(tǒng)可按客戶需求增減其他窗口用于諸如殘余氣體分析（RGA）,、反射高能電子衍射（RHEED)或橢偏儀（ellipsometry）,。
技術(shù)參數(shù)：
Vacuum Chamber: 304不銹鋼圓柱形腔體，滿足不同客戶的定制需求,。
Pumping: 分子泵或冷凝泵,，機(jī)械泵真空系統(tǒng)
Load Lock: 手動(dòng)傳片或自動(dòng)傳片,適合各種形狀尺寸的小片到300mm大的圓片，高真空背景傳遞
Process Control: PC / PLC自動(dòng)控制界面,，菜單控制,，數(shù)據(jù)獲取和遠(yuǎn)程控制
In-Situ Monitoring & Control: QCM膜厚監(jiān)控，光學(xué)膜厚監(jiān)控,，RGA殘余氣體分析
Substrate Fixture: 單片,，多片，星狀襯底夾具
Substrate Holders: 可加熱,，冷卻,，偏壓，旋轉(zhuǎn)
Ion Source: 襯底預(yù)清洗,，納米表面改性
Deposition Techniques
Magnetron Sputtering RF, DC, or Pulsed-DC;具有射頻濺射,，直流濺射，脈沖直流濺射,。
Glancing Angle Depostion (GLAD)Cathodic Arc Plasma Deposition 傾斜角度濺射。
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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