| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 應用領域 | 電子/電池,電氣,綜合 |
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反應離子刻蝕設備
RIE,，全稱是Reactive Ion Etching,，反應離子刻蝕，是一種微電子干法腐蝕工藝,。
RIE是干蝕刻的一種,，這種蝕刻的原理是，當在平板電極之間施加10～100MHZ的高頻電壓（RF,，radio frequency）時會產(chǎn)生數(shù)百微米厚的離子層（ion sheath）,，在其中放入試樣，離子高速撞擊試樣而完成化學反應蝕刻，此即為RIE（Reactive Ion Etching）,。因此為了得到高速而垂直的蝕刻面,，經(jīng)加速的多數(shù)離子不能與其他氣體分子等碰撞，而直接向試樣撞擊,。為達到此目的,，必須對真空度，氣體流量,，離子加速電壓等進行佳調(diào)整,，同時，為得到高密度的等離子體,，需用磁控管施加磁場,，以提高加工能力。
我司提供多型號的RIE刻蝕系統(tǒng),，滿足國內(nèi)客戶研究和生產(chǎn)的需要,。
反應離子刻蝕設備
深反應離子蝕刻系統(tǒng)(Deep Reactive Ion Etching System)
RE系列反應離子蝕刻系統(tǒng)帶有淋浴頭式樣的氣體分配系統(tǒng)及水冷射頻壓盤，柜體為不銹鋼材質(zhì),。反應腔體為13英寸鋁制,、從頂端打開方便晶片裝載取出，最大可進行8英寸直徑樣品實驗,，帶有兩個艙門：一個艙門帶有2英寸視窗,，另一個艙門用于終點探測及其他診斷。腔體可達到10-6 Torr壓力或更高,，自直流偏置連續(xù)監(jiān)控,、最大可達到500伏偏電壓(各向異性蝕刻)。該反應離子蝕刻系統(tǒng)為*由計算機控制的全自動設備,。
DRIE系列深反應離子蝕刻系統(tǒng)帶有低溫晶片冷卻及偏置壓盤,，設備使用2kw 8英寸ICP源，使用500L/秒的渦輪泵,，在10-3Torr壓力范圍運行,。
RIE 設備參數(shù):
鋁材腔體或不銹鋼腔體；
不銹鋼盒,；
可以刻蝕硅化物(~400 ? /min)或金屬,；
典型硅刻蝕速率 400 ? /min；
射頻源: 最大12"陽極化射頻平板(RF),；
真空度:大約20分鐘內(nèi)達到1E-6Torr,極限真空5E-7Torr,；
雙刻蝕容量：RIE和等離子刻蝕；
氣動升降蓋,；
手動/全自動裝卸樣品,；
預抽真空室,；
電腦控制
選配ICp源和平臺的低溫冷卻實現(xiàn)深硅刻蝕。
反應離子蝕刻系統(tǒng)可選配：
1. 最高700W的高密度等離子源進行各向同性蝕刻(isotropic etching),；
2. ICP等離子源,，2KW射頻電源及調(diào)諧器；
3. 低溫基底冷卻(Cryogenic substrate cooling),；
4. 終點探測(End point detection) ；
5. 蘭繆爾探針,；
6. 靜電卡盤(Electrostatic chuck),；
7. 附加MFC’s；
8. 1KW射頻電流源及調(diào)諧器,；
9. 低頻電流源及調(diào)諧器,；
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