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金屬有機化學(xué)氣相沉積鍍膜系統(tǒng)（MOCVD）

介紹：
我們提供了一套完整的MOCVD,，主要產(chǎn)品包括臺式研發(fā)型,、中試型和生產(chǎn)型,。其反應(yīng)器的設(shè)計可以根據(jù)工藝的需要很容易提升到滿足大直徑晶片生產(chǎn)的需要,。我們也能為客戶設(shè)計以滿足客戶特殊工藝和應(yīng)用的需要。系統(tǒng)部件包括：反應(yīng)器,、氣體傳輸系統(tǒng),、電氣控制系統(tǒng)和尾氣處理系統(tǒng)。

金屬有機化學(xué)氣相沉積鍍膜系統(tǒng)（MOCVD）

應(yīng)用方向：氧化物,、氮化物、碳化物,、硫族（元素）化物,、半導(dǎo)體等
提供適用不同材料研究需要的反應(yīng)器：
透明導(dǎo)體氧化物（TCO）應(yīng)用于LCD、太陽能電池,、透明加熱器,、電極、LED,、OLED等方面包括：P型ZnO, ITO, SrCuO,MgAlO,SrRuOm等MOCVD系統(tǒng)
MEMS & MOEMs包括：PZT, ZrO, NbO,LiNbO, TiO2,，SiO2，PbMgO, CMO,，Ta2O5等MOCVD系統(tǒng)
儲存器 (DRAM & NVRAM)介電/鈍化材料應(yīng)用于柵極,、介電層、鐵電,、高頻設(shè)備,、鈍化、保護層等,，包括：BST,，PZT, SBT, CMO, BLT，Hf(Si)O, Ta2O5,,，Zr(Si)O,Al2O3, MgO等MOCVD系統(tǒng)
波導(dǎo), 光電, WDMs. MOEMS 等材料,，包括：YBCO, PZT, ZnO, ZnSiO:Mn, GaN，SiC, Al, W, Cn等MOCVD系統(tǒng)
其他材料如：超導(dǎo),、氮化物,、氧化物、磁性材料,、包括：YBCO, PZT, ZnO, ZnSiO:Mn, GaN,，SiC, Al, W, Cn等MOCVD系統(tǒng)
金屬及合金, 氧化物, 氮化物, III-V, II-VI,...
半導(dǎo)體: SiO2, HfO2, Ta2O5, Cu, TiN, TaN, ...
氮化物及合金: GaN, AlN, GaAs, GaAsN...
高介電材料:SrTiO3, BaTiO3, Ba(1-x)SrxTiO3 (BST)...
鐵電材料: SBT, SBTN, PLZT, PZT,…
超導(dǎo)材料:YBCO, Bi-2223, Bi-2212, Tl-1223, …
壓電材料: (Pb, Sr)(Zr,Ti)O3, 改性鈦酸鉛...
金屬:Pt, Cu,...
巨磁阻材料...
熱涂層, 阻擋層, 機械涂層, 光學(xué)材料...

我們提供了從桌面型反應(yīng)器（針對研究和提高的需要）到自動化生產(chǎn)系統(tǒng)。出于材料變化種類的適應(yīng)性和經(jīng)濟價格的考慮,，對任何研究人員來說桌面型反應(yīng)器是最合適的選擇,，而且也極容易升級為量產(chǎn)型,。

科研型MOCVD設(shè)備，包含液體直接注入ALD工藝,，同一腔室完成沉積和退火,。
-更低的設(shè)備及使用成本、更少的前驅(qū)體源使用,、更小的腔體尺寸,、跟高的薄膜沉積品質(zhì)！
-非常適合高校及研究所科研使用,！

儀器參數(shù)：
1/ 1~4英寸MOCVD系統(tǒng),；
2/ 專為滿足科研單位需求而設(shè)計；
3/ MOCVD系統(tǒng)可在不同基底上,，以MOCVD方式,，在固體、液體有機金屬基源上沉積氧化物,、氮化物,、金屬、III-V 和 II-VI膜層,；
4/ MOCVD配有前驅(qū)體直接處理單元,，可在大范圍內(nèi)使用MO源，用于外延材料的研發(fā)和制備,；
5/ MOCVD腔室中的紅外燈加熱系統(tǒng)可實現(xiàn)在線退火工藝,；

性能及特點：
1， 溫度范圍: 室溫至1200°C ,；
2,， 帶質(zhì)量流量控制器的氣體混合性能；
3,， 真空范圍: ~ 10^-3 Torr,，可選配高真空；
4,， 選配手套箱,；
5， 已被客戶廣泛接受
6,， 堅固耐用
7,， 可靠性高
8， 良好的可重復(fù)性
9,， 經(jīng)濟適用