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離子束刻蝕設(shè)備
  • 離子束刻蝕設(shè)備
  • 離子束刻蝕設(shè)備
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 品牌 其他品牌
  • 型號(hào)
  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 所在地 上海市
屬性

應(yīng)用領(lǐng)域:電子/電池,電氣,綜合

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更新時(shí)間:2025-02-27 11:17:24瀏覽次數(shù):1830評(píng)價(jià)

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應(yīng)用領(lǐng)域 電子/電池,電氣,綜合
離子束刻蝕設(shè)備
離子拋光
離子清洗
等離子體灰化
等離子體氧化、氮化
表面改性
反應(yīng)刻蝕
生物醫(yī)藥
傳感器

離子束刻蝕設(shè)備

儀器應(yīng)用:
離子拋光
離子清洗
等離子體灰化
等離子體氧化,、氮化
表面改性
反應(yīng)刻蝕
生物醫(yī)藥
傳感器


離子束刻蝕設(shè)備技術(shù)參數(shù):
1,,真空系統(tǒng):
尺寸: 72英寸X 50英寸
真空泵:分子泵+機(jī)械泵
本底真空:1X10E-7Torr
2,, 樣品臺(tái):
樣品大小:150mm
處理角度:0-180度
旋轉(zhuǎn)速度:0-20RPM
冷卻:水冷
3,, 離子源
孔徑:22厘米
柵格:2個(gè),,鉬材質(zhì)
激發(fā):RF射頻
電性中和:PBN
束流: 200-1000V, 0-1000mA
工作氣體:Ar,Xe,N2,O2,CF4,SF6,CH4,C2H6
SIMS終點(diǎn)監(jiān)測(cè)

主要特點(diǎn):
RF or DC 離子源,, 8-22厘米Gridded Kaufman離子源
單片樣品傳輸腔
高效率高產(chǎn)量,,低能量等離子體源
最大直徑至150毫米樣品表面處理
<3% 非均勻性
水冷,傾斜,,旋轉(zhuǎn)
操作簡(jiǎn)便,,小型設(shè)備,皮實(shí)耐用
SIMS終點(diǎn)監(jiān)測(cè)
全部電腦操作
反應(yīng)離子刻蝕
單片樣品臺(tái)/三片行星式旋轉(zhuǎn)樣品臺(tái)


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