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EDC濕法刻蝕顯影機適應(yīng)于半導(dǎo)體、化工材料,、硅片、晶片,、基片、導(dǎo)電玻璃等工藝,，制版的表面顯影,。

一,、涂膠顯影機工作原理：

（1）可訂制濕法處理全套工藝（顯影，腐蝕,，清洗，甩干）,；

（2）擁有樣品清洗,，氮氣吹掃，甩干,，背部清洗作為必配功能，確保 “Dry In,，Dry Out",；

（3）特制的頂蓋閥門控制（VoD技術(shù)）,，確保試液無滴漏,；

EDC濕法刻蝕顯影機具有可編程閥,，它可以使單注射器試劑滴膠按照蝕刻、顯影和清洗應(yīng)用的要求重復(fù)進行,，如沖洗（通常是去離子水或溶劑），然后干燥（通常是氮氣）等之后的處理步驟,。采用此序貫閥門技術(shù)的晶圓片和管道在*干燥的環(huán)境中開通和關(guān)閉處理過程,。隔離和獨立的給水器可處在靜態(tài)的位置還可以蓋內(nèi)調(diào)節(jié)。涂膠顯影機還有可選擇的動態(tài)線性或徑向滴膠的特性,。

二、涂膠顯影機主要性能指標：
1,、腔體尺寸：9英寸 (220 毫米),；
2,、Wafer&芯片：直徑6英寸（150毫米）的晶圓片或者5x5英寸（125毫米）的方片；
3,、非真空托盤：聚丙烯材質(zhì)非真空托盤，可承載2,、3英寸及150毫米的晶圓片-并帶有背面清洗功能；
3,、轉(zhuǎn)動速度：0-12,000rpm,，
5,、馬達旋涂轉(zhuǎn)速：穩(wěn)定性能誤差 < ±1%；
6,、工藝時間設(shè)定：1-5999.9 sec/step 0.1 精度；
7,、高精度數(shù)碼控制器：PLC控制,，設(shè)置點精度小于0.006%；
8,、程序控制：可存儲20個程序段，每個程序段可以設(shè)置51步不同的速度狀態(tài),；
9、分辨率：分辨率不超過1轉(zhuǎn)/分,，可重復(fù)性不超過1轉(zhuǎn)/分,，美國國家標準技術(shù)研究院（NIST）認證過的,，并且無需再校準！]
10,、腔體開關(guān)蓋板：透明ECTFE材質(zhì)圓頂蓋板，便于實時進行可視化操作,；
11,、腔體材質(zhì)說明：用聚丙烯材質(zhì)制成的帶有聯(lián)動傳感觸點的合瓣式艙體,；
12、配套分析軟件：SPIN3000操作分析軟件,；
13、配套真空泵系統(tǒng)：無油型 220~240伏交流,，50/60赫茲；

三,、適用工藝（包括但不限于下述濕法制程）
光刻膠顯影（KrF/ArF）
SU8厚膠顯影
顯影后清洗
PostCMP清洗
光罩去膠清洗
光刻膠去除
金屬Lift-off處理
刻蝕微刻蝕處理