光刻膠是一種在半導體制造和微細加工領(lǐng)域中至關(guān)重要的材料。它主要由光引發(fā)劑,、樹脂,、溶劑等基礎(chǔ)組分組成,，并根據(jù)其響應(yīng)紫外光的特性，可以分為正膠和負膠兩種類型,。正膠在曝光前對顯影液不可溶,，而曝光后變得可溶，能夠產(chǎn)生高分辨率和良好對比度的圖案,。相比之下,，負膠在曝光前可溶，曝光后不可溶,，具有較好的粘附能力和抗刻蝕能力,，但其分辨率相對較低。

光刻膠的種類繁多,，每種光刻膠都有其特定的應(yīng)用領(lǐng)域和特點,。托托科技提供了一系列光刻膠 滿足不同半導體制造工藝的需求,，主要用于精確地將電路圖案轉(zhuǎn)移到硅片上,。

高分辨率光刻膠/S1800系列光刻膠,，這些正性光刻膠具有0.4-2.7um的膠厚范圍,，極限線寬可達0.5um，適用于小線寬雙層膠lift-off工藝,。SPR955系列光刻膠,，這些正性光刻膠的膠厚范圍為0.7-3.5um,，極限線寬可達0.35um,，粘附性好,。ROL-7133光刻膠，國產(chǎn)負膠,，適用于g/h/i-line光源,，膠厚范圍為2.2-4um，適用于lift-off工藝制造金屬電極或?qū)Ь€,。SUN-lift 1303光刻膠,，國產(chǎn)負膠，同樣適用于g/h/i-line光源,，膠厚范圍為2.2-4um,，適用于lift-off工藝。PMMA 光刻膠,，正性電子束光刻膠，高分辨率,，適用于電子束光刻,、二維材料轉(zhuǎn)移、多層T-gate等工藝,。AZ系列光刻膠：AZ 5214E光刻膠：正性薄膠,，膠厚范圍為1-1.6um,，適用于雙層膠lift-off工藝；AZ 4620光刻膠：正性厚膠,，膠厚范圍為3-60um,，適用于干法/濕法刻蝕、電鍍等工藝,；AZ MIR 701/703光刻膠：高分辨率正膠,，膠厚范圍為0.7-1.4um，極限線寬0.5um,；AZ nLOF 2000系列光刻膠：包括AZ nLOF 2020,、AZ nLOF 2035、AZ nLOF 2070等型號,，耐高溫Lift-off光刻膠,。SU-8光刻膠，高深寬比負膠,，膠厚范圍為0.5-650um,，適用于絕緣層、微流控等工藝,。SPR220系列光刻膠,，常用正膠，膠厚范圍為1-10um,，適用于干法/濕法刻蝕,、電鍍等工藝。AZ 1500系列光刻膠,，高分辨率正膠,，膠厚范圍為0.7-1.4.3um，極限線寬0.5um,。底層膠,、圖形反轉(zhuǎn)膠、電子束光刻膠,、LOR光刻膠,、PMGI SF光刻膠、Lift-off工藝光刻膠等,，適用于不同的工藝需求,，包括正性光刻膠、負性光刻膠,、厚光刻膠,、薄光刻膠、紫外光刻膠,。

托托科技的光刻膠 滿足不同半導體制造工藝的需求,，從精細圖案的制造到高深寬比的應(yīng)用,，都有相應(yīng)的產(chǎn)品可以選擇。