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上海麥科威半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第1年

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薄膜應(yīng)力測(cè)試儀

參  考  價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)MKW-3800

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)代理商

所  在  地上海市

更新時(shí)間:2025-04-26 19:25:39瀏覽次數(shù):54次

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具備三維翹曲(平整度)及薄膜應(yīng)力的檢測(cè)功能,,適用于半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn),、半導(dǎo)體制程工藝開發(fā),、玻璃及陶瓷晶圓生產(chǎn),,尤其具有測(cè)量整面翹曲曲率分布的能力,。

具備三維翹曲(平整度)及薄膜應(yīng)力的檢測(cè)功能,,適用于半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn),、半導(dǎo)體制程工藝開發(fā)、玻璃及陶瓷晶圓生產(chǎn),,尤其具有測(cè)量整面翹曲曲率分布的能力,。

優(yōu)勢(shì)

?? 全口徑均勻采樣測(cè)量,采樣間隔最少可至0.1mm

?? 同時(shí)具備翹曲測(cè)量及應(yīng)力測(cè)量功能

?? 全直觀展現(xiàn)薄膜導(dǎo)致的晶圓形變,,可計(jì)算整面應(yīng)力mapping和任意角度的曲率及應(yīng)力

?? 全豐富的軟件分析功能,,包括:三維翹曲圖、晶圓翹曲參數(shù)統(tǒng)計(jì)(BOW,WARP等),、ROI分析,、薄膜應(yīng)力及分布、應(yīng)力隨時(shí)間變化,、薄膜應(yīng)力變溫測(cè)量,、曲率計(jì)算、多項(xiàng)式擬合,、空間濾波等多種后處理算法,。

 

適用對(duì)象

??  2-8 英寸透明、半透明或非透明的拋光晶圓(硅,、砷化鎵,、鉭酸鋰、玻璃,、藍(lán)寶石、磷化銦,、碳化硅,、氮化鎵等材質(zhì))、鍵合晶圓,、圖形晶圓,、方形玻璃等。

?? 可檢測(cè)經(jīng)過薄膜工藝處理后的透明,、半透明或非透明表面,,薄膜材質(zhì)包含且不限于:Si、 SiO2,、SiN,、三氧化二鋁、光刻膠,、金屬薄膜,、膠黏劑、納米高分子膜,、有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化膜等,。

 

 

適用領(lǐng)域

?? 半導(dǎo)體及玻璃晶圓的生產(chǎn)和質(zhì)量檢查

?? 半導(dǎo)體薄膜工藝的研究與開發(fā)

?? 半導(dǎo)體制程和封裝減薄工藝的過程控制和故障分析

 

測(cè)量原理

1. 晶圓制程中會(huì)在晶圓表面反復(fù)沉積薄膜,基板與薄膜材料特性的差異導(dǎo)致晶圓翹曲,,翹曲和薄膜應(yīng)力會(huì)對(duì)工藝良率產(chǎn)生重要影響

2. 采用結(jié)構(gòu)光反射成像方法測(cè)量晶圓的三維翹曲分布,,通過翹曲曲率半徑測(cè)量來推算薄膜應(yīng)力分布,具有非接觸,、免機(jī)械掃描和高采樣率特點(diǎn),,6英寸晶圓全口徑測(cè)量時(shí)間低于30s

3. 通過Stoney公式及相關(guān)模型計(jì)算晶圓應(yīng)力分布

 

MKW-3800 技術(shù)規(guī)格

 

項(xiàng)目參數(shù)

測(cè)量對(duì)象2英寸-8英寸拋光/圖形晶圓

采樣間隔均勻全口徑采樣,最小采樣間隔0.1mm

測(cè)量時(shí)間單次測(cè)量時(shí)間 <30s (6英寸晶圓全口徑)

三維翹曲翹曲測(cè)量范圍0.5μm-5000μm*

重復(fù)性0.2μm或1%精度0.5μm或1.5%

薄膜應(yīng)力應(yīng)力測(cè)量范圍1 MPa - 10000 MPa

曲率測(cè)量范圍0.5m-10000m

曲率半徑重復(fù)精度<1% 1σ (@曲率半徑25 m)

薄膜應(yīng)力重復(fù)精度1.5MPa或1%

工作軟件Stress Mapper 軟件:采圖、測(cè)量控制及計(jì)算分析

軟件功能三維翹曲顯示,、晶圓翹曲參數(shù)統(tǒng)計(jì)(BOW,,WARP等)、薄膜應(yīng)力及分布,、時(shí)變穩(wěn)定性分析,、多種擬合算法、空間濾波算法等

 

上海麥科威晶圓翹曲應(yīng)力測(cè)量?jī)x將全口徑翹曲,、應(yīng)力,、表面瑕疵等分析整合進(jìn)入每一次測(cè)量,確保我們的客戶能夠快速確認(rèn)工藝,。

 



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