1.產(chǎn)品概述：

HSE M200主要用于4/6/8英寸深硅干法刻蝕工藝?？梢耘渲檬謩?dòng)及自動(dòng)傳輸系統(tǒng),。產(chǎn)品配置高密度雙立體等離子體源，中心邊緣進(jìn)氣,，快速氣體切換,，低頻脈沖下電極系統(tǒng)，可以實(shí)現(xiàn)高速,、高深寬比,、高均勻性及極小的側(cè)壁粗糙度,。HSE P300主要用于12英寸硅刻蝕。采用Cluster結(jié)構(gòu)布局,，能夠減小占地,，提升產(chǎn)能。系統(tǒng)主要由傳輸模塊,、工藝模塊,、灰區(qū)部件、電源柜等組成,?？蓪?shí)現(xiàn)自動(dòng)化地上下料及自動(dòng)工藝。

2.設(shè)備應(yīng)用：

  HSE M200

晶圓尺寸:

8英寸及以下

適用材料:

硅,、SOI,、SOG

適用工藝:

深硅刻蝕

適用領(lǐng)域:

微機(jī)電系統(tǒng)、科研領(lǐng)域

HSE P300

晶圓尺寸:

8/12英寸兼容

適用材料:

硅,、氧化硅,、氮化硅

適用工藝:

深槽刻蝕、深孔刻蝕,、扇出型封裝硅載體刻蝕,、露銅刻蝕等

適用領(lǐng)域:

先進(jìn)封裝

 3.設(shè)備特點(diǎn)

HSE M200

雙等離子源和雙區(qū)進(jìn)氣，保證高刻蝕均勻性和高刻蝕速率

兼容性強(qiáng),，工藝種類多樣,，應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，系統(tǒng)可靠性強(qiáng)

靈活的系統(tǒng)配置,，適合研發(fā),、中試線、大規(guī)模生產(chǎn)線的不同應(yīng)用

低擁有成本和運(yùn)營(yíng)成本

HSE P300

使用立體高密度等離子源,，大幅提升刻蝕速率

雙等離子源和雙區(qū)進(jìn)氣,，確保較高的均勻性

全自動(dòng)化軟件控制，高產(chǎn)能

低擁有成本和運(yùn)營(yíng)成本